众所周知，当今几乎所有芯片都是使用光刻技术打造。而最先进的芯片则是基于 EUV 光刻，其工作波长为 13.5 nm，可以产生小至 13nm（0.33 数值孔径 的Low NA EUV）、8nm（ 0.55 NA 的High NA EUV），甚至 4nm ~ 5nm（ 0.7 – 0.75 NA 的Hyper NA EUV）的特征，但代价是光刻系统极其复杂，具有 非常先进的光学元件，耗资数亿美元。 于是研究人员正在寻找更好的方法，"Beyond-EUV"就成为了不少厂商研究的方向。 据《Cosmos》援引《自然》杂志发表的一篇论文报道，约翰霍普金斯大学的研究人员公布了一种新的芯片制造方法，该方法使用波长为 6.5nm ~ 6.7nm 的 激光（也称为Soft X ray），可以将光刻工具的分辨率提高到 5nm 及以下。 科学家将他们的方法称为"Beyond-EUV"（BEUV）——这表明他们的技术可以取代行业标准的 EUV 光刻技术——但研究人员承认，他们目前还需要数年 时间才能制造出哪怕是实验性的 B-EUV 工具。 一种"Beyond-EUV"的技术 熟悉光刻技术的读者都知道，为了获得更高的光刻分辨率，要么 ...