中国EUV光刻技术研发进展 - 中国在极紫外光刻技术领域取得超预期进展 已组装完成一台使用旧ASML系统组件的EUV原型机并于2025年初完成 目前正在进行测试[2] - 该原型机已运行并具备极紫外光能力 但尚未生产出可工作的芯片[2] - 中国政府的目标是在2028年前生产使用该原型机的实用芯片 但2030年被视为更现实的目标 原型机的存在表明中国距离半导体自给自足可能比此前预期更近数年[2] 技术研发的人力资源与核心参与方 - 该EUV原型机由前ASML工程师开发 他们使用化名工作以保持机密 并逆向工程了极紫外光刻设备 消息人士称没有他们的深厚专业知识 这项工作几乎不可能完成[3] - 招募前ASML工程师是2019年发起的积极人才招募活动的一部分 旨在吸引海外半导体专家 提供300万至500万元人民币（约合42万至70万美元）的签约奖金及购房补贴[3] - 新招募的成员包括ASML前光源技术负责人林楠 其所在的中国科学院上海光学研究所团队在过去18个月内申请了8项极紫外光源专利[3] - 尽管EUV项目由中国政府主导 但华为在协调全国范围内的企业及国家科研机构网络中发挥着核心作用 该网络涉及数千名工程师[4] - 华为已派遣员工到全国各地的办公室、晶圆厂和研究中心以支持该项工作 分配给该项目的员工常在工作日留在现场 且因工作敏感性 回家和电话访问受到限制[4] 当前原型机的技术局限性与挑战 - 中国开发的EUV原型机在技术上远不及ASML系统先进 目前仅具备测试功能 中国仍面临重大技术难题[5] - 原型机技术落后的主要原因在于研究人员难以获得如德国蔡司公司提供的超精密光学系统 蔡司是ASML的重要合作伙伴[7] - 据称 该原型机将使用来自日本尼康和佳能的出口限制组件[7]