公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 编者按： 随着芯片制造工艺来到了2nm后，GAA晶体管开始逐渐进入主流。到翻看这个技术的发 展，最早在2006年就有相关研究发布。当中论文的参与者还有一个华人。 在本文中，我们回顾一下20年前是如何看待这个晶体管的。 早期研究展示了下一代晶体管设计的新方法 随着微电子行业开始在下一代智能手机中采用环栅晶体管设计，劳伦斯伯克利国家实验室（伯克利 实验室）近 20 年前的开创性研究展示了一种创建这些先进结构的创新方法。 这项名为"环栅场效应晶体管"（GAA-FET）的技术代表着一项关键的架构进步，有望将数十亿个 晶体管封装到智能手机和笔记本电脑的微型芯片中。"环栅"设计增强了对晶体管沟道的控制，从而 提高了性能并降低了功耗。虽然目前业界仍在通过传统的自上而下的制造方式来实现GAA-FET， 但伯克利实验室早期的自下而上方法展示了这种几何结构利用化学合成实现这些复杂结构的潜力。 图示：在环栅 (GAA) 结构（右图）中，栅极环绕纳米级硅通道的四边，纳米级硅通道以三条灰色纳米线 与黄金矩形相交的形式呈现。这些通道是电流的通道。在鳍式场效应晶体管 (FinFET) 结构（ ...