高压直流配电技术是未来AIDC供电方向 - 相比传统交流供电，高压直流配电技术具有输电损耗低、用铜量低、供电线路投入低等优势 [1] - 该技术能助力AIDC客户降低系统能耗，提高数据中心供电能量密度，并有助于实现绿电和算力的协同 [1] - HVDC将是下一代AIDC供电的方向 [1] 国内数据中心柜外电源技术路线与市场 - 国内数据中心柜外直流电源产业化应用较早，主要分为240/336V模块化HVDC电源和巴拿马电源两种技术路线 [2] - 巴拿马电源集成度高，系统CAPEX相比UPS和HVDC方案有大幅压降，系统效率最高可达97.5% [2] - 以阿里、腾讯为核心的CSP率先批量采用巴拿马电源供电 [2] - 预计到2026年新建AIDC中HVDC方案渗透率将快速提升，巴拿马电源方案有望占据主流 [2] - 预计到2030年国内HVDC市场规模有望超800亿，2025至2030年复合年增长率约122% [2] 海外AIDC高压直流化趋势与市场 - 海外AIDC高压直流化核心驱动因素是NV下一代Rubin GPU运行需要800V直流供电，预计海外用户将直接切入800V方案 [3] - 海外供电方案相比国内增加了Sidecar方案，其功率密度和集成度更高，但量产难度高 [3] - 海外800V HVDC方案渗透率预计在2027年显著提升，独立电源柜方案将快于Sidecar方案批量应用 [3] - 预计到2030年海外HVDC市场规模有望超1400亿，2025至2030年复合年增长率约170% [3] SST技术发展前景与市场规模 - SST取消了工频变压器降压，实现了体积、效率的大幅提升 [3] - 国内SST产业进程领先全球，海外CSP纷纷提出基于SST的AIDC配电方案 [3] - HVDC技术将快速收敛于SST，随着供给端技术和产品逐渐成熟，预计SST有望在2027年下半年开始放量 [3] - 预计2029至2030年SST有望逐渐成为AIDC柜外电源的主流方案，到2030年全球SST市场规模有望超1000亿 [3] 国内企业竞争优势与出海机遇 - 国内HVDC电源技术发展进度大幅超前于海外，SST在充电场站、直流微电网等项目上有丰富的工程化应用经验 [4] - 国际头部TIER 1积极寻求与国内企业合作研发HVDC电源和SST [4] - 科士达、盛弘股份等常年与海外电源厂家有合作或代工基础的企业有望快速切入北美HVDC市场 [4] - 阳光电源、金盘科技等拥有海外渠道和电力电子技术的公司有望通过自有品牌获取北美市场份额 [4] - 四方股份、为光能源等拥有SST技术优势的公司有望通过与海外头部TIER 1合作出海北美 [4]

数据中心供电架构演进路径 - 数据中心供电架构正朝着极简化、集成化方向演进，基本按照UPS-HVDC-SST路径演化 [4] - 维谛技术预测2026-2027年将逐步启用Sidecar供电模式（单独边柜集成Powershelf/BBU/超级电容），2030年后启用SST架构 [4] - 科华数据提出2028年全球超算中心中800V HVDC渗透率有望达30% [2] 新型供电技术效率对比 - SST架构全链路效率达91.2%，远超当前UPS架构的85.8% [6] - 800V HVDC方案端到端效率达95-98%，较传统架构提升5% [11] - 国内市电直供+HVDC架构效率为88.1%，海外Powershelf架构效率为89.4% [6] 800V HVDC技术优势与挑战 - 铜材用量减少45%，机房占地面积缩减40%，年均运维成本下降30% [11] - 初始成本比传统UPS高20-30%，且行业统一标准尚未明确 [11] - 需电网到芯片全产业链协同推动规模化应用 [11] GPU功率波动解决方案 - DC侧可通过超级电容shelf补偿瞬时波动 [3] - AC侧高压端采用125kw PCS柜补偿可使主网负载波动平滑 [28][30] - 低压端通过增加PSU内部电容体积（如GB300中电容占比50%）可降低电网峰值功率需求30% [30][33] 全集成电源技术突破 - FIVR技术将供电模块集成至芯片内部，实现纳秒级动态响应（传统为微秒级） [33][36] - 电源面积和厚度仅为传统方案的1/30和1/20 [33] - 对电感尺寸和性能提出极高要求，是无源器件集成的技术瓶颈 [22][33] 极简UPS技术特性 - 科士达新型UPS取消AC/DC整流部分，支持0ms切换、谐波补偿及储备合一 [15] - 具备主路模式、储能模式、联合供电模式三种工作模式 [15][17] - 支持更高过载能力并提升IT算力产出效率 [15] 电源技术升级焦点 - 功率器件材料从Si IGBT转向SiC mosfet，谐振电感采用共用磁芯设计 [18] - 拓扑结构从四电平简化为三电平（I型/T型），I型适合Si器件，T型适合SiC器件 [18][20] - 新增自主寻优、绿电消纳等智能功能 [18]