EUV光刻技术挑战 - 随着EUV光刻技术向更小间距（如2nm节点）发展，电子模糊、随机性和偏振效应形成叠加障碍，显著影响图像质量[2][6] - 电子模糊导致约50%的对比度损失，加剧随机电子行为对图像的影响[2][6] - 偏振效应（非偏振光）造成14%对比度损失，在14nm间距下损失达23%，其影响随间距缩小而增强[2][6] 技术细节分析 - 在0.55 NA EUV系统中，18nm间距下电子模糊与偏振的综合效应使总对比度损失超过单一因素（电子模糊主导）[2] - 9nm半间距图像显示，20nm厚金属氧化物光刻胶条件下，随机电子密度分布受非偏振光（50% TE/TM）显著影响[5] - 间距缩小至14nm时，电子模糊导致的对比度损失达60%，远超偏振效应，但两者恶化趋势同步加速[6] 行业影响 - 边缘粗糙度因随机波动跨越印刷阈值而可能被判定为缺陷，该现象随技术节点升级持续恶化[3] - 行业需建立包含电子模糊模型的完整分析框架，以应对EUV特征可印刷性和随机波动的挑战[6]