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超越极紫外辐射(B-EUV)
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一种微芯片制造的新方法
半导体芯闻· 2025-09-12 10:12
技术突破 - 约翰霍普金斯大学研究人员发现新材料和新工艺 可能推动制造更小、更快、更经济的微芯片[2] - 新材料为基于咪唑的金属有机物光刻胶 可适应更高功率的超越极紫外辐射工艺[3] - 新工艺称为化学液体沉积 能以溶液形式在硅晶圆尺度上沉积金属有机光刻胶并精确控制纳米级厚度[4] 工艺特性 - 新工艺既精确又经济 能快速在生产线上以极高精度照射材料制造微小电路[2] - 通过调整金属和咪唑组合可改变光吸收效率和反应化学性质 至少有10种金属和数百种有机物可配对[5] - 锌金属对超越极紫外辐射吸收效果优异 能产生电子引发化学转化印刻电路图案[3][5] 应用前景 - 该技术可制造小于当前标准10纳米的芯片细节 适用于手机、汽车、家电、飞机等现代电子产品[2][3] - 研究人员认为该技术很可能在未来10年内应用于制造业[5] - 不同波长辐射与不同元素相互作用特性各异 为多种金属有机物配对提供可能性[5]