存储技术架构升级 - 存储技术正升级迈向存储晶圆与逻辑晶圆的双晶圆堆叠架构 以实现系统整体更优性能 [1] - 在3D NAND领域 国内长江存储的Xtacking技术将存储单元与逻辑电路分离制造再通过混合键合集成 其NAND的I/O接口速度已从最初的800MT/s提升至3.6GT/s 实现了超过4倍的飞跃 [1] - 在DRAM领域 未来有望借助CBA技术实现类似架构升级 三星和SK海力士正在研发在不同晶圆上制造存储单元和外围电路并通过混合键合连接 以提高存储单元密度 [1] 逻辑晶圆制造模式演变 - 在双晶圆堆叠架构升级过程中 逻辑晶圆制造有望在IDM模式基础上导入代工模式 从而采用与存储晶圆不同的最优制程和工艺技术 [2] - 三星在其第10代V-NAND中 已使用其逻辑工艺在单独晶圆上制造外围电路 [2] - SK海力士计划从HBM4产品开始 采用台积电的先进逻辑工艺制造Base die 以通过超细微工艺增加更多功能 [2] - 国内未来有望依托丰富的逻辑代工资源 实现存储IDM和逻辑代工的产业协同发展 [1][2] AI驱动与产业链影响 - AI推理等应用需求持续扩张 显著推升了存储行业景气度 存储制造端的产能扩张和技术升级迫切性提升 [3] - 以逻辑晶圆代工为特征的存储代工模式有望作为新兴模式落地并快速发展 从而更高效地改善半导体产品的性能、面积、成本和上市时间 [3] - 随着该领域技术逐步落地和迭代更新 相关配套产业链如晶圆代工和上游半导体设备等有望充分受益 [1][3]