技术突破核心观点 - 三星电子研究团队证实新型NAND闪存结构可将功耗较现有产品降低最高96% [1] - 该技术为全球首次阐明可使存储单元串运行功耗大幅降低的核心机制 [2] - 研究同时验证了在实现每单元5比特大容量存储的同时进一步降低功耗的技术可行性 [2] 技术原理与创新 - 研究突破传统NAND闪存通过向存储单元注入电子存储数据的模式 [2] - 创新性地结合铁电体与氧化物半导体的特性以解决行业功耗瓶颈 [2] - 将氧化物半导体的固有特性与铁电体基NAND闪存融合化弱点为优势 [2] 行业影响与应用前景 - 该技术商用化后有望大幅提升从AI数据中心到移动设备等多个领域的电力效率 [3] - 功耗降低有助于削减数据中心运营成本并延长移动设备电池续航时间 [3] - 在AI生态系统存储作用日益凸显的背景下技术具有重要应用价值 [3]