文章核心观点 2026年科技硬件行业（涵盖半导体、电信设备、IT硬件）依然是投资大年，行业将围绕七大核心主题展开，包括严重内存短缺推动半导体设备重估、AI投入挤占非AI组件供应、光学领域在AI数据中心发力、测试领域持续升温、氮化镓应用前景乐观、边缘AI取得适度进展以及中国半导体本土化进程出现实质性转折 [1] 严重内存短缺推动半导体设备标的重估 - DRAM现货价格在过去三个月飙升300%-400%，达到原来的4-5倍，具体型号DDR4现货价格为每GB 17美元，DDR5为每GB 13-14美元 [2] - 合约价格涨幅相对温和，Trendforce预测2025年第四季度PC DRAM合约价格环比上涨25%-30%，服务器DRAM环比上涨43%-48% [2] - 多数机构预计随着分销商库存耗尽，2026年上半年内存价格将至少再上涨30%-50% [2] - NAND闪存现货价格过去三个月上涨200%，11月晶圆级NAND合约价格环比上涨20%-60%，基准512Gb TLC合约价格环比涨幅超65%，预计2026年第一季度价格将继续实现两位数涨幅 [2] - 内存短缺可能持续至2027年，有望推动2027/2028年晶圆厂设备支出预期显著上调 [3] - 半导体设备标的如ASML，其2027年预期市盈率当前为25-30倍，未来有望突破至35倍，其当前相对其他五大半导体设备巨头的估值溢价处于10年区间底部，仅约20% [3] - 2027-2028年DRAM晶圆厂设备支出大幅增长的最敏感标的是ASML、VAT集团与SUSS MicroTec，若NAND闪存设备支出复苏则对Comet尤为有利 [4] AI投入挤占非AI领域组件供应 - 内存、被动元件及光学组件可能面临供应挑战，将在2026年对主流电子产品生产产生连锁影响，硬盘驱动器等领域也存在短缺问题 [4] - 最可能受负面影响的品类包括消费电子、智能手机、个人电脑及汽车电子产品 [4] - 供应链中最脆弱的环节是智能手机、消费电子、PC领域的中低端原始设备制造商，这些厂商议价能力较弱且依赖分销渠道 [4] - 内存成本上涨可能迫使中低端原始设备制造商要求无晶圆厂企业提供更大幅度的价格让步，短期内最可能出现的结果是厂商转向更低内存配置，或产品发布直接延迟 [4] - 汽车电子领域受到的相对影响较小，因为供应商通常会为汽车级产品维持独立的生产线以满足可靠性规格 [5] 光学领域在AI数据中心持续发力 - AI数据中心投入推动带宽需求飙升，数据中心内部及之间的流量呈爆炸式增长 [5] - 数据中心正逐步向更高速度的可插拔光学器件、线性可插拔光学器件演进，未来将实现数据中心内部的共封装光学器件，并搭配更广泛的相干链路 [5] - 线性可插拔光学器件采用线性驱动器替代完整的数字信号处理器，可降低功耗与延迟 [5] - 在共封装光学架构下，光学引擎紧邻交换机/xPU，这一设计更有利于硅光子集成芯片，光学组件的含量将大幅提升 [5] 测试领域持续升温 - 测试领域正经历由芯片复杂度提升与失效成本上升驱动的结构性转型，作为英伟达核心探针卡供应商的Technoprobe市场份额约100% [6] - 随着AI加速器封装成本日益高昂且每个封装集成的芯粒数量增加，报废成本呈指数级增长，这为测试预算提供了结构性支撑 [6] - 台积电计划在2022-2026年期间将其“AI测试产能”以80%的复合年增长率扩张，同时外包半导体封测厂商也计划在2026年大幅扩充产能以缓解产能瓶颈 [6] - 先进封装领域，台积电与外包半导体封测厂商持续投入2.5D CoWoS产能扩张，行业对从2.5D向3D封装转型的需求强烈 [6] - 2026年苹果将首次采用台积电的3D封装方案应用于高端笔记本电脑，可能实现CPU与GPU模块的分离设计 [6] - 2026-2027年期间更大的市场机遇来自DRAM领域：HBM4E与HBM5有望从热压键合转向无焊剂热压键合或晶圆对晶圆混合键合工艺，以实现16层及以上堆叠 [7] - 随着英特尔推出背侧供电技术，晶圆对晶圆混合键合趋势将进一步加速 [7] 氮化镓乐观预期 - 英伟达推动AI数据中心向800V架构转型是一项重大举措，需要供应链各方协同努力，涉及电网接口设备、功率半导体、磁性元件、冷却系统和机架结构等多个领域 [8] - 当前48V架构存在电流过大问题，导致严重的功率损耗和铜缆使用量过高，向800V架构转型势在必行 [8] - 英伟达对AI数据中心的推动正为氮化镓创造发展动力，堪比碳化硅在特斯拉身上的应用时刻 [8] - AI处理器功耗预计将从2023年的7GW增长至2030年的70GW以上，增长10倍 [9] - 向800V架构转型使工作电压提升15倍，将提高能效，同时使机架功率达到1MW或更高 [9] - 每GW供电对应的功率半导体含量将达到3000-5000万美元，到2030年氮化镓和碳化硅市场规模有望达到26亿美元 [9] 边缘AI主题取得适度进展 - 边缘AI指在终端用户设备上本地进行轻量级AI处理，或卸载至本地边缘节点的模式，其核心优势包括保护隐私、降低延迟，同时具备节省数据中心投入的潜力 [9] - 多家企业表示边缘AI已进入加速增长阶段，尽管目前基数较低，例如AMD指出“边缘AI爆发”“现已开启”，但也承认边缘解决方案“仍处于应用初期阶段”和“试验阶段” [9] - 安霸表示，其定义的“边缘AI”市场将在2025年占其总收入的80%，涵盖汽车高级驾驶辅助系统、视频监控、机器人和智能城市等应用领域 [10] - 工业领域，罗克韦尔自动化近期推出了基于英伟达Nemotron Nano的解决方案，这是一款专为罗克韦尔产品工作流程优化的小型语言模型，为工业环境提供基于边缘的生成式AI能力 [10] 中国半导体本土化进程实质性转折 - 根据专家访谈反馈，中国在成熟制程半导体以及约半数晶圆厂设备支出相关领域的能力已出现明显转折 [11] - 变化体现在两个层面：一是中国原始设备制造商与集成器件制造商/晶圆代工厂面临更大的本土采购压力；二是中国本土供应商在规模与质量上满足这些客户需求的能力显著提升 [11] - 2026年可能成为关键年份，市场将更清晰地认识到西方企业在半导体及设备领域于中国市场的潜在市场规模可能面临萎缩 [11] - 中国企业此前“低端市场渗透”的叙事可能升级为“中端市场渗透”，这将迫使西方企业选择相应的应对策略，包括加大创新投入、收缩业务、战略合作或被动承受 [11][13] - 众多中国半导体企业计划在香港上市的消息进一步加剧了这一担忧，2025年6月以来韦尔股份、通富微电、圣邦股份、中芯国际和纳芯微等企业已提交招股说明书 [12][14] - 半导体领域，预计部分品类（如功率模块、碳化硅、传感器、低端微控制单元）的竞争可能过于激烈，导致部分西方企业选择退出，这些领域积累的产能大多可转向AI数据中心相关应用 [14] - 半导体设备领域，预计中国本土企业将在更多细分领域形成实质性竞争，例如ASM国际在原子层沉积设备领域将面临先导集团、中微公司和华峰测控的竞争，华海清科有望在中国晶圆对晶圆混合键合设备领域获得更多关注 [14]