Navitas Semiconductor (NVTS)

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Navitas Semiconductor (NVTS) - 2024 Q3 - Earnings Call Transcript
2024-11-05 00:30
财务数据和关键指标变化 - 第三季度收入为2170万美元,与去年基本持平,环比增长6% [9][30] - 毛利率为40.1%,较2023年第三季度的42.1%有所下降,环比持平于40.3% [31] - 第三季度运营亏损为1270万美元,流动性强,现金及现金等价物为9900万美元,无债务 [33][34] 各条业务线数据和关键指标变化 - 移动业务在第三季度创下历史新高,推动整体收入稳定 [30] - 在电动汽车领域,第三季度新增六个设计项目,预计2025和2026年将带来收入增长 [19][20] - 在家电和工业领域,第三季度新增30个设计项目,涵盖多种应用 [22] 各个市场数据和关键指标变化 - AI数据中心市场的需求持续增长,预计将推动未来几年的收入增长 [16][18] - 电动汽车市场仍是客户管道中最大的细分市场,活跃项目超过200个 [20] - 在太阳能和能源领域,新增10个设计项目,包括与Generac的多百万美元合作 [22][23] 公司战略和发展方向和行业竞争 - 公司将重点关注AI数据中心、移动和电动汽车市场,认为这三大市场将是未来几年的主要收入驱动因素 [25][26] - 与英飞凌的战略合作将推动低电压GaN技术的市场采用,增强客户信心 [13][70] - 公司计划通过减少员工和费用来提高效率,加速盈利能力的实现 [24][36] 管理层对经营环境和未来前景的评论 - 尽管面临宏观经济挑战,管理层对未来的设计赢得势头和客户管道表示乐观,预计2025年将恢复强劲增长 [26][27] - 管理层提到,短期内市场可能会出现疲软,但长期前景依然看好 [26][59] 其他重要信息 - 公司在GaN技术方面拥有超过300项专利,增强了竞争优势 [15] - 计划在2025年中期推出下一代GaN IC,进一步拓展市场机会 [23][68] 问答环节所有提问和回答 问题: 关于低电压GaN平台的双源协议 - 公司与英飞凌达成了广泛的交叉许可协议,以确保客户在采用新技术时不会面临专利冲突 [39][40] - 双源协议旨在加速GaN技术的市场采用,满足客户对多元化供应的需求 [39][40] 问题: 关于毛利率的指导 - 尽管收入略有下降,移动业务的强劲表现使得毛利率保持平稳 [44] 问题: 关于电动汽车市场的表现 - 公司在电动汽车领域看到积极的进展,尤其是在OBC和路边充电器的设计赢得方面 [46] 问题: 关于硅碳市场的增长 - 硅碳市场的渠道库存正在减少,预计将推动明年的增长 [48] 问题: 关于液冷技术对电源半导体的影响 - 液冷技术被视为推动电源半导体需求的必要条件,能够支持更高的功率需求 [56] 问题: 关于与英飞凌的合作 - 合作将专注于低电压GaN产品,预计将在未来几个月内开始采样 [70]
Navitas Semiconductor Corporation (NVTS) Reports Q3 Loss, Misses Revenue Estimates
ZACKS· 2024-11-04 23:46
公司财务表现 - 公司最新季度每股亏损为0.06美元 与Zacks共识预期一致 相比去年同期每股亏损0.04美元有所扩大 [1] - 公司最新季度营收为2168万美元 低于Zacks共识预期1.77% 相比去年同期营收2198万美元略有下降 [2] - 过去四个季度中 公司仅有一次超过每股收益预期 但有三次超过营收预期 [1][2] 公司股价表现 - 公司股价年初至今下跌约68% 同期标普500指数上涨20.1% [3] - 公司当前Zacks评级为3级(持有) 预计短期内表现将与市场持平 [6] 行业状况 - 公司所属的电子-半导体行业在Zacks行业排名中处于后41% 研究表明排名前50%的行业表现优于后50%超过2倍 [8] - 同行业公司indie Semiconductor预计最新季度每股亏损0.09美元 同比下降12.5% 营收预计为5365万美元 同比下降11.3% [9][10] 未来展望 - 公司未来股价走势将很大程度上取决于管理层在财报电话会议中的评论 [3] - 当前市场预期公司下一季度每股亏损0.06美元 营收2410万美元 本财年每股亏损0.24美元 营收8980万美元 [7] - 近期盈利预期修正趋势显示混合信号 未来几天对下季度和本财年的预期变化值得关注 [6][7]
Navitas Semiconductor (NVTS) - 2024 Q3 - Quarterly Results
2024-11-04 21:24
财务表现 - 2023年第三季度净收入为21.681亿美元,同比下降1.4%[17] - 2023年前三季度净收入为65.324亿美元,同比增长22.4%[17] - 2023年第三季度毛利率为21.5%,同比提高7.2个百分点[17] - 2023年前三季度毛利率为21.8%,同比提高5.9个百分点[17] - 2023年第三季度研发费用为17.828亿美元,同比增加7.7%[17] - 2023年前三季度研发费用为57.028亿美元,同比增加12.4%[17] - 2023年第三季度销售及管理费用为15.040亿美元,同比增加4.3%[17] - 2023年前三季度销售及管理费用为46.509亿美元,同比增加-0.3%[17] - 2023年第三季度经营亏损为28.973亿美元,同比增加1.1%[17] - 2023年前三季度经营亏损为91.685亿美元,同比增加0.4%[17] - 公司第三季度GAAP净亏损为1,873万美元,而上一年同期为净利润751.9万美元[19] - 公司第三季度非GAAP净亏损为1,167.5万美元,而上一年同期为亏损703.2万美元[19] 现金流及资产负债情况 - 公司第三季度现金及现金等价物为9.86亿美元,较上年末的15.28亿美元有所下降[20] - 公司第三季度应收账款净额为2.11亿美元,较上年末的2.59亿美元有所下降[20] - 公司第三季度存货为2.13亿美元,较上年末的2.22亿美元有所下降[20] - 公司第三季度商誉为16.32亿美元,与上年末持平[20] - 公司第三季度应付账款及其他应计费用为1.36亿美元,较上年末的2.47亿美元有所下降[20] - 公司第三季度客户预付款及递延收入为2,006万美元,较上年末的1.10亿美元大幅下降[20] - 公司第三季度应计薪酬费用为849.7万美元,较上年末的1,090.2万美元有所下降[20] - 公司第三季度应付或有对价负债为393.2万美元,较上年末的4.69亿美元大幅下降[20] 业务发展 - 公司实现了移动快充市场的创纪录销售[1] - 推出了新的低压GaN技术,进入48V AI数据中心、电动车和机器人市场[1,2] - 与英飞凌建立战略合作伙伴关系,为客户提供双重供应选择[1,2] - 精简市场重点和成本结构,改善了公司走向盈利的道路[2] - 推出了98%高效率、8.5kW AI电源参考设计,采用高压GaN+SiC架构[6] - 在电动车领域获得6个新的车载和路侧充电器设计赢单,预计将于2025年和2026年实现收入增长[7] - 在移动和消费电子领域获得26个新的设计赢单,预计将于2025年第二季度开始实现收入增长[8]
Navitas Semiconductor Announces Third Quarter 2024 Financial Results
GlobeNewswire News Room· 2024-11-04 21:03
公司业绩 - 公司2024年第三季度总收入为2170万美元 相比2023年同期的2200万美元略有下降 但较2024年第二季度的2050万美元有所增长 [3] - 公司2024年第三季度GAAP运营亏损为2900万美元 相比2023年同期的2860万美元和2024年第二季度的3110万美元有所改善 [3] - 公司2024年第三季度非GAAP运营亏损为1270万美元 相比2023年同期的870万美元和2024年第二季度的1330万美元有所扩大 [3] - 公司预计2024年第四季度净收入将在1800万至2000万美元之间 非GAAP毛利率预计为40%±50个基点 非GAAP运营费用预计为2050万美元 [5] 市场与技术进展 - 公司在移动快充市场创下销售记录 并推出全新的48V GaN平台 面向AI数据中心、电动汽车和AI机器人应用 [1][2] - 公司与英飞凌科技达成战略合作 为客户提供双源采购选择 加速GaN技术在新主流高容量应用中的采用 [1][2] - 公司推出98%效率的8.5kW AI电源参考设计 采用高压GaN+SiC架构 满足NVIDIA Hopper-Blackwell-Rubin AI GPU路线图对功率密度的要求 [4] - 公司在电动汽车领域取得6个新的车载和路边充电器设计胜利 预计将在2025年和2026年逐步量产 [4] 成本优化与组织调整 - 公司实施成本削减计划 预计每季度节省200万美元 并裁员14%约45名员工 [2] - 公司调整市场重点 更加专注于AI数据中心、电动汽车和移动应用 以加速实现盈利 [2] 财务状况 - 截至2024年9月30日 公司现金及现金等价物为9860万美元 [3] - 公司2024年第三季度GAAP净亏损为1870万美元 相比2023年同期的净收入752万美元大幅下降 [14] - 公司2024年第三季度非GAAP净亏损为1168万美元 相比2023年同期的703万美元有所扩大 [17]
The Bottom Fishing Club - Navitas: Deep Value Leverage On AI/EV/Solar Growth
Seeking Alpha· 2024-11-01 20:03
人物投资经历 - Paul Franke有38年交易经验 30年全国排名股票挑选者 1990年代是编辑和出版商 1990年代被Timer Digest®排名为顶级投资顾问 在2008和2009部分时间在Motley Fool®CAPS选股比赛中排名第一 2010 - 13年是Quantemonics Investing®研究总监 截至2024年9月被TipRanks®排名为博主前3% [1] 投资相关概念 - 有“Victory Formation”选股系统 关注供需不平衡 “Bottom Fishing Club”关注深度价值或技术动能向上反转股票 “Volume Breakout Report”讨论由价格和交易量支持的积极趋势变化 建议投资者对单个选择使用10%或20%止损水平 采用分散化方法拥有至少50个看好的股票 [1]
Navitas Previews Advances in GaN and SiC Technologies, Including Industry's First 8.5 kW AI Data Center Power Supply at electronica 2024
GlobeNewswire News Room· 2024-10-28 12:30
文章核心观点 Navitas Semiconductor将在electronica 2024上预览多项突破,展示下一代GaN和SiC技术在多领域的应用及优势,其人员还将参与相关辩论,行业预测GaN和SiC产品市场份额将提升 [1][2][6] 公司信息 - 公司是唯一纯玩、下一代功率半导体公司,2014年成立,专注GaN和SiC技术,有超250项专利,有20年GaNFast保修,是全球首个获CarbonNeutral认证的半导体公司 [7] - 公司GaNFast™功率IC集成GaN功率和驱动等功能,GeneSiC™功率器件是优化的高功率、高压、高可靠性SiC解决方案,重点市场包括EV、太阳能等 [7] 展会信息 - electronica 2024于11月12 - 15日在慕尼黑举行,公司“Planet Navitas”展位在C3展厅129号 [1][7] - 可发邮件euro.sales@navitassemi.com与公司在展会上安排会议 [7] 展示内容 - 展位邀请参观者了解下一代GaN和SiC技术在AI数据中心、EV交通等领域的应用,强调终端用户效益及低碳技术到2050年每年可节省超60亿吨二氧化碳 [2] - 主要技术更新包括全球首个用于AI和超大规模数据中心的8.5千瓦电源,采用高功率GaNSafe功率IC和第三代快速SiC MOSFET [3] - GeneSiC技术基于超20年SiC创新领导地位,第三代快速GeneSiC MOSFET采用专有技术,性能领先,可降低温度、延长寿命,支持更强AI数据中心和更快充电EV [4] - 还将展示用于家电和工业的GaNSense™电机驱动IC、650V双向GaN演示器以及用于高功率市场的SiCPAK™模块 [5] 行业活动及预测 - 公司Llew Vaughan - Edmunds将参加EETimes小组辩论,探讨宽带隙技术在价值220亿美元/年的传统硅功率IC市场份额的提升 [6] - 分析师机构Yole Group预测到2027年GaN和SiC产品将占功率半导体市场30%的份额 [6]
NVTS Rises 7% in a Month: How Should Investors Approach the Stock?
ZACKS· 2024-10-18 16:06
公司表现 - Navitas Semiconductor (NVTS) 股价在过去一个月内上涨6.6%,表现优于Zacks计算机和科技板块的1.8%回报率 [1] - 同期内,NVTS 也超越了Zacks电子-半导体行业及其同行,包括Cirrus Logic (CRUS)、FormFactor (FORM) 和 Ambarella (AMBA) [1] - Cirrus Logic 和 FormFactor 的股价分别下跌1.8%和1.4%,而Ambarella 上涨3.1% [1] - 半导体行业在过去一个月内上涨5.1% [1] 业绩驱动因素 - 公司在移动和消费市场的强劲销售,以及家电和工业领域的强劲推动,是其表现优异的主要原因 [1] - 电动汽车(EVs)被认为是推动收入增长的最大贡献者,目前有超过200个客户项目在推进中 [1] 产品与技术 - 公司近期推出的新产品对其前景有积极影响 [2] - NVTS 推出了第三代快速(G3F)650 V 和 1,200 V SiC MOSFETs 产品组合,标志着重要里程碑 [2] - G3F 技术实现了最快的开关速度、最高效率和更高的功率密度,适用于AI数据中心电源、车载充电器、快速EV路边超级充电器以及太阳能/储能系统 [2] - 公司发布了4.5 kW AI数据中心电源参考设计,采用优化的GaNSafe和G3F SiC功率组件,功率密度达到137 W/in³,效率超过97% [2] - NVTS 进一步扩展了G3F 650 V SiC MOSFETs 产品组合,推出热增强型、坚固耐用的高速表面贴装晶体管封装,适用于高功率和高可靠性应用 [2] 市场扩展 - 三星扩大了Navitas GaNFast ICs 的应用范围,从最初的Galaxy S22、S23和S24扩展到主流Galaxy A系列以及非常规的Galaxy Z Fold6和Galaxy Z Flip6智能手机,并增强了Galaxy AI功能 [3] - NVTS 推出了新一代高度集成的GaN功率IC GaNSlim,旨在简化并加速小型高功率密度应用的开发,提供最高水平的集成和热性能 [3] 财务展望 - 公司预计2024年第三季度收入为2200万美元(±50万美元),按中点计算,环比增长仅为7% [4] - Zacks 共识预期收入为2207万美元,同比增长0.41% [4] - 第三季度毛利率预计约为40%(±50个基点) [4] - 公司预计随着高利润率市场需求复苏,毛利率将有所改善 [4] 盈利表现 - 2024年第三季度,Zacks 共识预期每股亏损为6美分,与过去60天持平 [5] - 去年同期公司报告每股亏损4美分 [5] - 在过去四个季度中,NVTS 的盈利两次超过Zacks共识预期,一次未达预期,一次持平,平均负面偏差为2.50% [5] 估值与评级 - NVTS 目前估值较高,价值评分为F [6] - Navitas Semiconductor 目前持有Zacks Rank 3(持有),建议投资者等待有利的入场点 [6]
Navitas GaNSlim™ Power ICs Drive Ease-of-use, System Cost, and Energy Savings in Mobile, Consumer, and Home Appliance
GlobeNewswire News Room· 2024-10-14 12:30
公司新产品发布 - 公司发布了新一代高度集成的GaN功率IC GaNSlim™ 该产品旨在简化并加速小型高功率密度应用的开发 提供最高水平的集成和热性能 [1] - GaNSlim集成了驱动 控制和保护功能 并带有集成EMI控制和无损电流感应 采用高导热性能的DPAK-4L封装 超低启动电流低于10 µA 兼容行业标准SOT23-6控制器 无需高压启动 [2] - GaNSlim的无损电流感应功能消除了外部电流感应电阻 优化了系统效率和可靠性 过温保护确保系统稳健性 自动睡眠模式提高了轻载和无负载效率 自主开关斜率控制最大化效率和功率密度 同时减少外部元件数量 系统成本和EMI [3] - GaNSlim采用专利的4引脚高导热性能 低剖面 低电感DPAK封装 相比传统替代方案 工作温度降低7°C 支持高达500 W的高功率密度设计 目标应用包括移动设备和笔记本电脑充电器 电视电源 照明等 [4] 公司战略与市场定位 - 公司专注于集成器件 以实现高效率 高性能的功率转换 并提供最简单的设计和最短的上市时间 新GaNSlim产品组合基于集成 易用性和低成本制造方法 已确定超过50个新项目 扩大了GaN可寻址市场 目标应用为500 W以下的移动 消费和家用电器领域 [5] - GaNSlim系列器件额定电压为700 V RDS(ON)额定值从120 mΩ到330 mΩ 提供适用于隔离和非隔离拓扑的优化版本 [5] 公司背景与行业地位 - 公司是唯一一家专注于下一代功率半导体的纯业务公司 成立10年 GaNFast™功率IC集成了GaN功率和驱动 以及控制 感应和保护功能 实现更快充电 更高功率密度和更大节能 互补的GeneSiC™功率器件是优化的高功率 高电压和高可靠性SiC解决方案 重点市场包括电动汽车 太阳能 储能 家用电器/工业 数据中心 移动和消费领域 拥有超过250项已授权或待批专利 提供行业首个也是唯一一个20年GaNFast保修 是全球首家获得CarbonNeutral®认证的半导体公司 [6] 公司品牌与知识产权 - 公司拥有Navitas Semiconductor GaNFast GeneSiC和Navitas标志的商标或注册商标 所有其他品牌 产品名称和标志均为其各自所有者的商标或注册商标 [7]
Navitas Delivers More Power for AI & EV with Extended GaNSafe™ Portfolio
GlobeNewswire News Room· 2024-10-09 12:30
文章核心观点 公司推出了新一代高功率GaNSafe系列功率半导体器件,采用TOLT封装提升了热散发性能,可应用于AI数据中心、太阳能/储能和工业等领域 [1][2][3] 关键要点总结 产品特性 - 集成控制、驱动、检测和关键保护功能,提供前所未有的可靠性和稳健性 [2] - 具有超快短路保护(最大延迟350ns)、2kV静电保护、消除负极栅驱动、可编程斜率控制等特性 [2] - 采用4引脚设计,可像离散GaN FET一样使用,无需VCC引脚 [2] - TOLT封装通过顶部散热提升了热散发性能,降低工作温度,提高电流承载能力,提升系统功率密度、效率和可靠性 [2][3] 应用范围 - 适用于1kW至22kW的应用,提供25-98mΩ的RDS(ON)MAX选择 [3] - 可应用于数据中心电源和电动车板载充电器等系统 [3] 公司情况 - 公司成立10年,是业界唯一专注于新一代功率半导体的公司 [4] - 拥有250多项专利,是业界首家提供20年GaNFast质保的半导体公司,也是首家获得碳中和认证的半导体公司 [4]
Navitas Qualifies Leading-edge Gen-3 Fast SiC to Auto-grade (Q101)
GlobeNewswire News Room· 2024-09-04 12:30
公司动态 - Navitas Semiconductor 发布了第三代汽车级 SiC MOSFET 产品组合,采用 D2PAK-7L 和 TOLL 表面贴装封装 [1] - 新产品已立即上市,客户可通过 info@navitassemi.com 获取更多信息 [6] 技术优势 - 公司专有的"沟槽辅助平面"技术提供世界领先的性能,在高温环境下表现优异 [2] - 第三代 Fast SiC MOSFET 在 EV 充电、牵引和 DC-DC 转换应用中提供高速、低温运行 [2] - 与传统器件相比,外壳温度降低高达 25°C,使用寿命延长 3 倍 [2] - 650 V 和 1,200 V 系列均通过 AEC Q101 认证 [5] 产品性能 - 第三代 Fast MOSFET 针对最快开关速度、最高效率进行优化,支持 EV 应用中更高的功率密度 [3] - 650 V 系列 RDS(ON) 范围为 20-55 mΩ,适用于 400 V EV 电池架构 [4] - 1,200 V 系列 RDS(ON) 范围为 18-135 mΩ,针对 800 V 系统优化 [4] - TOLL 封装相比 D2PAK-7L 减少 9% 结壳热阻,PCB 占用面积减少 30%,高度降低 50%,尺寸缩小 60% [5] - TOLL 封装仅 2 nH 的极低封装电感确保出色的快速开关性能和最低动态封装损耗 [5] 应用领域 - 产品适用于 EV 应用中的 AC 压缩机、车厢加热器、DC-DC 转换器和车载充电器 (OBC) [3] - 公司 EV 设计中心展示了领先的 OBC 系统解决方案,功率密度达 3.5 kW/升,效率超过 95.5% [3] 公司概况 - Navitas Semiconductor 是唯一专注于下一代功率半导体的纯业务公司 [7] - 公司成立于 2014 年,拥有超过 250 项已授权或待批专利 [7] - 提供 GaNFast™ 功率 IC 和 GeneSiC™ 功率器件,应用于 EV、太阳能、储能、家电/工业、数据中心、移动和消费市场 [7] - 公司提供行业首个 20 年 GaNFast 保修,是全球首个获得 CarbonNeutral® 认证的半导体公司 [7]