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Extreme Ultraviolet Lithography (EUV)
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纳米压印光刻_别再说它会取代极紫外光刻(EUV)了-Nanoimprint Lithography_ Stop Saying It Will Replace EUV
2025-10-27 12:06
行业与公司 * 行业为半导体制造设备行业,特别是光刻技术领域[1] * 公司主要为佳能,其是纳米压印光刻技术最主要的商业推动者[9][11][14] * 其他相关公司包括ASML、Molecular Imprints Inc、Prinano、Nanonex和EV Group[9][13] 核心观点与论据 * **核心论点:NIL无法取代EUV光刻技术**,尽管理论上NIL在分辨率和成本上具有优势,但实际应用中存在无法克服的挑战[3][5][63] * **理论优势**:NIL理论上分辨率可匹配甚至超越EUV,且不受EUV的随机误差问题影响[45] 工具成本约为EUV扫描仪的十分之一,每片晶圆的加工成本约为EUV的四分之一[46] 功耗比EUV低90%,约为100千瓦,而EUV超过1兆瓦[48] * **实际挑战与论据**: * **掩模寿命是最大障碍**:当前NIL掩模寿命仅约50片晶圆,而光刻掩模寿命超过10万片晶圆,巨大的缺陷率和检查成本使其不经济[49] 掩模检查时间与掩模生产寿命相当,大规模部署检查设备不现实[50] * **套刻精度不足**:当前NIL的套刻精度比要求差约4倍,难以满足先进芯片关键层的要求[54][66] 其通过掩模计量技术仅能读取每个曝光场角落的标记,而ASML工具可读取多10倍的标记,校正能力更强[58] * **客户反馈负面**:关键潜在客户Kioxia和美光指出NIL存在缺陷率高、掩模成本和寿命等挑战,认为其尚未准备好用于先进芯片制造[62][63] * **其他技术挑战**:包括对准标记尺寸过大浪费晶圆面积[60] 掩模图案粗糙度可能导致芯片性能缺陷[61] 其他重要内容 * **佳能NIL工具细节**:佳能技术称为J-FIL,使用喷墨沉积光刻胶和紫外闪光固化[15][16] 工具架构为多单元设计,每单元最大吞吐量为每小时25片晶圆,市场推广为4单元组合达100片/小时[43] 对比ASML的DUV工具为330片/小时,EUV为220片/小时[44] * **掩模制造流程复杂**:采用主模板→子母版→工作模板的流程,因为电子束掩模写入每个工作模板速度太慢[29] NIL掩模需要直接写入与晶圆特征相同的尺寸,最先进芯片层可能需要20纳米特征,对掩模写入器要求极高[31][32] * **出口管制风险**:尽管NIL实际能力不及EUV,但其理论分辨率低于45纳米,受到美国出口管制,日本管制存在漏洞,可能被中国领先晶圆厂如中芯国际尝试获取[65][66][67] * **NIL的潜在应用领域**:在缺陷容忍度高、需要复杂3D图案的领域有成功可能,包括比特图案化媒体、MEMS器件,以及AR/VR超透镜[68] 超透镜可能是NIL的"杀手级应用",但市场规模远小于先进逻辑和存储芯片[69] 可能被忽略的内容 * **工艺细节**:掩模压印时通过二氧化碳加压产生10微米的中心凸起,以确保接触的可重复性和对称性[19] 图案化后无需后烘烤,节省了部分时间和成本,但节省量小于总周期时间和成本的1%[22] * **技术演进背景**:佳能在2014年ASML开始向客户研发工厂交付EUV时收购MII,将NIL作为其深紫外光之后的下一代图案化技术,但这是一个错误的赌注[9][14]
Is ASML a Buy?
The Motley Fool· 2025-08-07 10:00
公司估值与市场表现 - 公司股票表现落后于纳斯达克100指数和iShares半导体ETF(SOXX) 年初至今以及过去一年、三年和五年的表现 [1] - 尽管拥有极紫外光刻(EUV)技术的垄断地位 但公司股票近期下跌后市盈率约为25倍 为过去10年来的最低水平 [3][4] - 公司当前2300亿欧元的市值相对于2030年140亿至230亿欧元的净利润预期 显示出长期投资价值 [17] 垄断地位与行业需求 - 公司在7纳米以下半导体制造所必需的极紫外光刻领域具有垄断地位 [2] - 行业已从2019年的7纳米芯片进展到今年末将推出的2纳米芯片 [2] - 所有领先的DRAM内存生产商正在采用EUV技术 AI系统对内存的需求正在爆炸性增长 [2] 近期业绩与市场担忧 - 近期股价下跌与2026年增长前景的不确定性有关 管理层未保证2026年实现增长 [6] - 关税问题可能对公司终端市场产生直接和间接影响 多数终端产品仍在东亚组装 [7] - 潜在的半导体232条款关税可能直接影响许多重要芯片 考虑到台积电在电子供应链中的重要性 [7] 技术发展与行业趋势 - 芯片制造技术正从finFET晶体管转向全环绕栅极晶体管 允许晶体管源极垂直堆叠 [10] - 背面供电技术正在兴起 将芯片的电源控制构建在硅片背面 为正面释放更多空间 [11] - 当前芯片创新的重点已从光刻技术转向其他制造技术领域 如刻蚀和沉积、新型封装、晶圆减薄和计量 [12] 长期前景与管理层展望 - 公司CEO指出在1.4纳米节点之后 光刻强度将再次增加 需要更多EUV层 [15] - 2纳米节点可能不会增加光刻强度 但在此之后光刻强度和芯片微缩将继续 [16] - 公司维持2030年营收在440亿至600亿欧元之间的展望 相较于过去12个月的322亿欧元营收有显著增长空间 [16]