文章核心观点 - 碳化硅和氮化镓等第三代半导体技术取得重大突破 加速行业从硅基向化合物半导体的转型 满足高性能 高效率功率器件的市场需求 [2][3][4] Wolfspeed 200毫米碳化硅技术突破 - 公司宣布200毫米SiC材料产品正式商业化上市 标志着行业转型重要里程碑 [2] - 200毫米SiC外延片可立即认证 与200毫米裸晶圆配合实现突破性可扩展性和更优质量 [2] - 200毫米裸晶圆厚度350µm 参数规格改进 外延工艺掺杂和厚度均匀性达业界领先水平 [2] - 技术使器件制造商提高MOSFET良率 加快产品上市时间 应用于汽车 可再生能源 工业等高增长领域 [2] DB HiTek氮化镓功率半导体工艺进展 - 公司完成650V增强型氮化镓高电子迁移率晶体管工艺开发 将于下月底提供测试生产晶圆 [3] - GaN材料功率损耗远低于硅 有利于生产高效超小型产品 应用于AI数据中心和机器人市场 [3][4] - 新技术与现有BCDMOS主营业务产生协同效应 产品线扩展到GaN和碳化硅等化合物半导体 [4] - 公司计划扩建产能 月产量从15.4万片晶圆提升至19万片 增幅约23% [4] 第三代半导体市场前景 - GaN市场规模预计以年均约40%速度增长 从2025年5.3亿美元增长至2029年20.13亿美元 [4] - 化合物半导体在电力转换效率方面显著优于传统硅基半导体 特别适用于高耗电应用场景 [3][4]