在半导体制造中，清洗工艺贯穿于光刻、刻蚀、沉积等关键流程，并在单晶硅片制备阶段发挥着重要作用。随着 技术的发展，芯片制程已推进至28nm、14nm乃至更先进节点。 晶圆对微小污染物的敏感性也显著增强。每一道工序前，晶圆表面都需清除颗粒、有机物、金属杂质和氧化层等 污染物，以确保后续制程的顺利进行。以7nm及以下制程工艺为例，若晶圆表面每平方厘米存在超过3个0.5nm粒 子，良率可能下降12%-18%。 国产替代提速，破解172nm光源依赖 晶圆表面清洗作为先进制程中的关键工序，正朝着高效、低损的方向不断演进。针对纳米级有机污染物，172nm 准分子紫外光清洗技术提供了一种非接触、高精清洁的解决方案，逐渐成为行业应用和技术发展的重点方向。 然而，该技术所依赖的172nm准分子光源长期依靠进口，面临成本高、供应不稳定、技术封锁等问题。随着全球 产业链重构和供应链安全意识提升，国产替代需求愈加迫切。 广明源172nm晶圆光清洗方案：高效、非接触、精细化 √ 非热处理：冷光源技术，避免热应力，适用于热敏材料。 √ 高效清洁：可有效去除纳米级有机残留，提升工艺良率。 该技术通过172nm高能紫外光激发有机物产生自由基， ...