投资计划概述 - 公司宣布一项重大投资计划，将投入约1.1万亿韩元引进两台最新的High-NA双级极紫外（EUV）光刻机 [1] - 此举标志着公司在下一代半导体芯片量产领域迈出关键一步 [1] 设备部署与规划 - 公司此前仅在京畿道园区部署过一台High-NA EUV设备，且主要用于研发环节 [3] - 此次引进的两台设备则聚焦"产品量产"，是公司首次将此类先进设备应用于量产场景 [3] - 按照规划，公司将于今年内完成第一台设备的引进工作，明年上半年再引进第二台，逐步完善量产设备布局 [3] 设备技术规格 - 计划引进的设备为Twin Scan EXE:5200B，属于0.55数值孔径（NA）的High-NA极紫外光刻系统，是TWINSCAN EXE:5000的升级版本 [3] - 该设备不仅进一步提升了对准精度，还大幅提高生产效率 [3] - 设备被行业公认为生产下一代半导体芯片与高性能DRAM的核心必备设备 [3] 技术优势与行业影响 - 与此前的NXE系统相比，Twin Scan EXE:5200B的成像对比度提升40%，分辨率可达8纳米 [3] - 该设备能让芯片制造商通过单次曝光实现比TWINSCAN NXE系统精细1.7倍的电路刻蚀 [3] - 这一技术突破可将晶体管密度提升至原来的2.9倍 [3] - 技术优势可在降低大规模生产工艺复杂性的同时，有效提高客户晶圆厂的晶圆产量，为半导体产业技术升级提供有力支撑 [3]