氮化镓激光二极管技术特性 - 基于第三代半导体材料氮化镓（GaN），具有高效率、高功率、宽波长范围等优势，通过电子空穴复合产生紫光、蓝光、绿光等短波长激光 [1] 市场前景与竞争格局 - 全球市场规模预计2031年达1758.43百万美元，2025-2031年复合增长率7.71% [2] - 前三大厂商（Nichia、Sony、Sharp Fukuyama Laser等）占据85%收入份额 [4] - 多模产品为最主要细分类型，占72.1%收入份额 [6] - 投影仪和显示器是核心应用领域，贡献29.5%收入份额 [8] 行业驱动与阻碍因素 - 技术优势：GaN的宽禁带特性、高电子饱和率及热稳定性在光电子领域具备不可替代性 [9] - 成本挑战：上游GaN同质衬底90%产能集中于日本住友等少数企业，MOCVD设备被Veeco等垄断推高制造成本 [10] 产品类型与应用分布 - 主要产品类型包括单模、多模、蓝光光盘等 [14] - 应用领域覆盖工业、医疗、科研等，重点关注北美、欧洲、中国、日本等地区 [14] 行业发展趋势 - 高科技设备普及（如光学显示器、光存储）推动需求增长，但需突破外延生长、热管理等技术瓶颈 [2] - 政策不确定性如美国半导体设备禁令、欧盟关键原材料指令可能影响供应链 [11] 主要厂商与市场研究 - 头部企业包括Nichia、ams OSRAM、KYOCERA SLD Laser等，中国厂商广西飓芯科技上榜 [14] - 研究机构QYResearch提供全球产能、销量、区域分布等数据统计 [13]