行业技术发展趋势 - 高性能计算、光通信及传感器行业技术快速扩张 驱动异构集成技术加速迭代 从2D向2.5D及3D/3.5D系统集成拓展[2] - 索尼、台积电、三星、英特尔、AMD等芯片大厂竞相开发异构集成工艺[2] 异构集成技术路线细节 - 2D异构集成采用倒装芯粒键合至RDL/有机IC载板 C4 Bump间距150-110μm 通过热压键合工艺可缩至110-90μm[3] - 2.5D芯粒集成基于interposer/嵌入式桥接/TSV+热压键合 μ Bump间距50-25μm 未来可延展至10μm[3] - 3D/3.5D集成采用TSV+W2W混合键合或C2W键合 W2W键合技术更成熟且商业化广 键合间距8-2μm 正向1.6μm/1μm推进 C2W键合集中在9-5μm 未来3年向2μm发展[3] 行业会议与产业生态建设 - 势银联合甬江实验室计划于2025年11月17-19日举办异质异构集成年会 主题为聚焦异质异构技术前沿与先进封装[4] - 会议聚焦多材料异质异构集成、光电融合、三维异构集成、光电共封装、晶圆级键合/光学、半导体材料与装备、TGV及FOPLP等技术维度[4] - 会议旨在助力宁波及长三角打造先进电子信息产业高地 实现聚资源、造集群目标[4]