专利技术 - 公司申请名为"存储单元结构及存储单元结构的形成方法"的专利 公开号CN120379260A 申请日期为2024年01月 [1] - 专利技术涉及存储单元结构 包括衬底、位线结构、源线结构、擦除栅结构、浮栅结构、控制栅结构和字线栅结构 [1] - 该技术实现纵向电子传输沟道 减少存储单元结构横向尺寸 [1] 公司背景 - 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司成立于2002年 注册资本100000万美元 从事计算机、通信和其他电子设备制造业 [2] - 北京公司对外投资1家企业 参与招投标52次 拥有专利5000条 行政许可226个 [2] - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司成立于2000年 注册资本244000万美元 从事计算机、通信和其他电子设备制造业 [2] - 上海公司对外投资4家企业 参与招投标127次 拥有专利5000条 商标150条 行政许可451个 [2]