技术突破核心 - 研发全球首颗二维-硅基混合架构芯片 将二维超快闪存器件“破晓”与成熟硅基CMOS工艺深度融合 [2] - 提出名为“长缨”的系统集成架构 通过模块化集成方案和高密度单片互连技术实现二维存储电路与CMOS控制电路的结合 [2][3] - 核心工艺创新实现原子尺度上二维材料与CMOS衬底的紧密贴合 最终芯片良率超过94% [3] 技术挑战与解决方案 - 面临的核心难题是CMOS电路表面高低不平而二维材料纤薄脆弱 直接铺设易导致材料破裂 [3] - 解决方案是适应CMOS而非改变CMOS 先将二维存储电路与CMOS电路分离制造再集成 避免了改造产线和污染风险 [2][3] 材料特性与行业影响 - 二维半导体材料是原子级别新材料体系 厚度不到1纳米 与传统几百微米厚的硅片天差地别 [2] - 将二维器件融入CMOS传统半导体产线被视为加快新技术孵化的路径 可为CMOS技术带来全新突破 [2] - 二维器件具有天然访问速度优势 可突破闪存在速度、功耗、集成度上的平衡限制 [4] 发展现状与未来规划 - 研究成果已于10月8日在《自然》期刊上发表 研发出的芯片已成功流片 [2][4] - 团队下一步计划建立实验基地 与相关机构合作建立自主主导的工程化项目 [4] - 产业界认为该技术未来或可在3D应用层面带来更大的市场机会 [4]