Micro LED巨量转移技术突破 - 福州大学联合瑞典查尔姆斯理工大学开发出无残留聚合物的超高良率Micro LED激光巨量转移方法，显著提升AR/VR、可穿戴设备等领域的商用化速度[1][2] - 采用激光诱导转移方案，结合大数据分组分析与数学模型，在激光能量1200–1500 mJ/cm²范围内实现极高芯片保留率，二次转移阶段良率达100%[2] - 技术突破传统静电吸附、微印章等方法的限制，避免芯片损伤和转移偏移，具备精准控制激光焦点深度、稳定性与灵活性优势[2] 技术细节与创新 - 建立芯片下沉深度与最佳激光能量的数学关系，补偿蓝宝石翘曲与粘接不平问题，首次实现无聚合物残留的均匀下沉精准转移[3] - 激光光斑尺寸30×38微米时达到最佳效果，技术适用于多种尺寸和类型的Micro LED芯片，扩展性强[2][4] - 为Micro LED芯片向TFT驱动基板转移奠定基础，未来计划拓展至全彩Micro LED、柔性显示等领域[4][5] 产学研合作与成果 - 福州大学作为国家新型显示技术创新中心，已攻克μLED芯片制备、巨量转移、键合等技术难点[5][6] - 2023年与海目星合作研制国内首款晶圆级Micro LED非接触电致发光检测样机FED-NCEL，实现三色芯片无接触检测[6] - 与闽都实验室、佳新创辉等企业合作推进显示工艺升级，与福建物构所、深圳大学等高校合作提升QLED器件效能及色转换显示性能[6]