芯东西10月11日报道，10月8日，复旦大学团队研发的全球首颗二维-硅基混合架构芯片，相关研究成果在国际顶级学术期刊Nature上发表。 该成果将二维超快闪存与成熟互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺深度融合，攻克了二维信息器件工程化的关键难题，解决了存储速率的技 术难题。 据复旦大学公众号介绍，这颗芯片性能"碾压"目前的Flash闪存技术，首次实现了混合架构的工程化。依托前期完成的研究成果与集成工作， 此次打造出的芯片已成功流片。 基于CMOS电路控制二维存储核心的全片测试支持8-bit指令操作，32-bit高速并行操作与随机寻址，良率高达94.34%。 论文题目为《全功能二维-硅基混合架构闪存芯片》。复旦大学集成电路与微纳电子创新学院、集成芯片与系统全国重点实验室研究员刘春森 和教授周鹏为论文通讯作者，刘春森研究员和博士生江勇波、沈伯佥、袁晟超、曹振远为论文第一作者。 论文链接： "存储器是二维电子器件最有可能首个产业化的器件类型。因为它对材料质量和工艺制造没有提出更高要求，而且能够达到的性能指标远超现 在的产业化技术，可能会产生一些颠覆性的应用场景。"在存储器领域深耕多年的周鹏认为。 当前，市场中的大部 ...