公司专利技术 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请了一项名为"反熔丝结构及其形成方法、反熔丝结构的工作方法"的专利，公开号CN120261440A，申请日期为2024年01月 [1] - 专利技术涉及反熔丝结构，包括第一晶体管结构、第二晶体管结构和电容结构，通过控制第二晶体管结构工作在饱和区，提升反熔丝结构的编程效果和可靠性 [1] - 专利摘要详细描述了反熔丝结构的具体组成和工作原理，包括第一栅极、第一源极、第一漏极、第二栅极、第二源极、第二漏极等关键部件 [1] 公司基本情况 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司成立于2000年，位于上海市，主要从事计算机、通信和其他电子设备制造业 [2] - 公司注册资本为244000万美元 [2] - 公司对外投资了4家企业，参与招投标项目127次 [2] - 公司拥有商标信息150条，专利信息5000条，行政许可442个 [2]

公司专利技术突破 - 公司申请半导体工艺设备温度控制专利 公开号CN120164806A 申请日期2023年12月 该专利涉及承载装置的多温区温差控制方法 通过设定第一阈值和第二阈值筛选目标温差 控制高温区停止升温并维持低温区加热 使温差降至第三阈值以下 [1] - 该技术解决多温区升温速率不一致问题 避免因温差过大导致承载装置损坏 显著延长设备使用寿命 适用于半导体制造工艺中的精密温控场景 [1] 公司基础信息 - 北京北方华创微电子装备有限公司成立于2001年 注册资本114153.708311万人民币 主营业务为电气机械和器材制造业 [2] - 公司拥有5000条专利信息 340项行政许可 66条商标信息 对外投资7家企业 参与招投标1068次 体现强大的技术积累和市场活动能力 [2]

专利技术 - 中芯国际旗下天津、北京、上海三家公司联合申请名为"测试装置及测试方法"的专利，公开号CN119959588A，申请日期为2023年11月 [1] - 专利技术涉及IGBT晶圆测试装置，包含卡盘、接地模块和绝缘探针卡，可直接进行晶圆级测试 [1] - 该技术能提高测试效率，减少泄露电流概率，提升测试准确度和IGBT晶圆可靠性 [1] 公司背景 - 中芯国际天津公司成立于2003年，注册资本12.9亿美元，拥有385项专利、287个行政许可，参与104次招投标 [2] - 中芯北方北京公司成立于2013年，注册资本48亿美元，拥有133项专利、450个行政许可，参与45次招投标 [2] - 中芯国际上海公司成立于2000年，注册资本24.4亿美元，拥有5000项专利、443个行政许可，参与127次招投标并对外投资4家企业 [2] 行业动态 - 三家中芯国际子公司均专注于计算机、通信及电子设备制造领域 [2] - 专利技术聚焦半导体制造中的IGBT测试环节，反映公司在功率半导体领域的研发投入 [1]

公司专利技术 - 公司申请了一项名为"存储器及其形成方法"的专利，公开号CN119922914A，申请日期为2023年10月 [1] - 专利涉及存储器结构，包括基底、浮栅结构、选择栅结构、第一漏区、第一源区、第二漏区和第二源区等组件 [1] - 技术特点在于多个选择晶体管并联设计，可提高写入时输入至第二漏区的电流值总和，便于区分浮栅结构在写入时的状态 [1] 公司基本信息 - 公司成立于2000年，位于上海市，主要从事计算机、通信和其他电子设备制造业 [2] - 公司注册资本达244000万美元 [2] - 公司对外投资了4家企业，参与招投标项目120次 [2] 公司知识产权 - 公司拥有商标信息149条，专利信息5000条 [2] - 公司拥有行政许可443个 [2]

文章核心观点 中芯国际旗下天津和上海公司取得“治具组件”专利，该组件可提高晶圆拿取及放置精准度 [1] 公司信息 - 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司成立于2003年，位于天津，从事计算机等电子设备制造业，注册资本1.29亿美元，参与招投标104次，有专利信息384条、行政许可287个 [2] - 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司成立于2000年，位于上海，从事计算机等电子设备制造业，注册资本2.44亿美元，对外投资4家企业，参与招投标117次，有商标信息148条、专利信息5000条、行政许可443个 [2] 专利信息 - 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司、中芯国际集成电路制造（上海）有限公司取得“治具组件”专利，授权公告号CN222801772U，申请日期为2024年6月 [1] - 治具组件包括第一治具和第二治具，可提高晶圆拿取以及放置时的精准度 [1]

文章核心观点 中芯国际旗下北京和上海公司申请“半导体结构及其形成方法”专利，该方法有保证肖特基二极管反向击穿电压等优势，还介绍了两家公司的基本信息 [1][2] 专利信息 - 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司、中芯国际集成电路制造(上海)有限公司于2023年10月申请“半导体结构及其形成方法”专利，公开号CN119815896A [1] - 该专利方法包括提供含二极管区的衬底、在第二区表面形成第一栅介质层等步骤，能保证肖特基二极管反向击穿电压，降低半导体结构结电容并为工艺提供更多选择 [1] 公司信息 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 - 成立于2002年，位于北京市，从事计算机、通信和其他电子设备制造业，注册资本100000万美元 [1] - 共对外投资1家企业，参与招投标项目51次，有专利信息5000条，行政许可226个 [1] 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 - 成立于2000年，位于上海市，从事计算机、通信和其他电子设备制造业，注册资本244000万美元 [2] - 共对外投资4家企业，参与招投标项目117次，有商标信息147条，专利信息5000条，行政许可443个 [2]