美光科技DRAM技术路线图评估 - 公司正在评估两种潜在的技术发展路径：一种是遵循传统顺序从第七代1d（10纳米）工艺推进到第八代1e（10.1纳米）工艺，另一种是更具雄心的方案，完全跳过1e阶段，直接转向真正的9纳米DRAM世代[1] - 技术路径选择的关键变量在于公司能够在多大程度上缩小其1d节点的线宽，如果1d线宽能从约10.9纳米缩小到约10.2纳米，则有可能跳过1e节点直接进入9纳米级别，这将是一次具有重大意义的技术飞跃[1] - 随着竞争对手三星计划从其1d节点直接过渡到9纳米DRAM工艺，以及SK海力士预计采取类似的快速推进策略，公司正在调整其路线图以保持竞争力[1] DRAM制造工艺演进与3D DRAM发展前景 - 在DRAM制造中，更窄的线宽可实现更高的密度和性能，10纳米级工艺已历经1x、1y、1z、1a、1b和1c多代演进，目前最新商用节点1c的线宽约为11.2纳米[1] - 尽管3D DRAM被广泛认为是存储架构的下一个突破，但在2033年或2034年之前实现量产的可能性不大，最初目标是在1c-1d时代实现24至36层堆叠，但因6F²平面单元设计持续取得进展，时间表被推迟[2] - 专家估计一旦3D DRAM变得可行，至少需要90至100层堆叠才能实现商业价值，目前三星、SK海力士和美光的原型仅限于16至24层，芯片制造商计划在未来三到四代中使用4F²设计作为过渡解决方案[2] 美光在美国的大规模产能投资 - 公司投资1000亿美元在美国纽约州奥农达加县建设新大型晶圆厂，该项目是纽约州历史上最大的私人投资，被认为是美国新兴"半导体带"的支柱之一[3] - 该工厂在未来20年内将创造超过5万个工作岗位，其中约9000个为直接岗位，并最终占据美国半导体产量的约25%[3] - 此次电力线路的批准标志着施工的第一阶段，该晶圆厂的未来产能被设计为支持包括9纳米在内的下一代DRAM节点，为公司提供与美国供应链韧性目标相一致的安全本土生产基地[3]