核心观点 - 美光FY25Q4业绩表现强劲 营收和毛利率均超指引上限 主要受益于数据中心需求强劲 DRAM供应紧张及定价优势 [2][24][25] - 公司对FY26Q1及中长期行业前景持乐观态度 预计DRAM和NAND市场供需持续向好 HBM业务成为关键增长驱动力 [5][25][47] - 美光在先进技术领域保持领先 包括1γ DRAM HBM4及G9 NAND 并通过AI应用提升生产效率和产品竞争力 [27][30][26] 财务业绩 - FY25Q4营收113.2亿美元 同比+46% 环比+22% 超指引上限107±3亿美元 [2] - FY25Q4毛利率45.7% 同比+9.2个百分点 环比+6.7个百分点 超指引上限42%±1个百分点 [2] - FY25Q4每股收益3.03美元 净利率31% 同比+14个百分点 环比+7.6个百分点 [2] - 2025财年总营收374亿美元 同比+49% 毛利率41% 同比+17个百分点 [24][38] 产品表现 - DRAM收入89.84亿美元 同比+69% 环比+27% 创单季历史新高 位元出货量环比增长低十位数百分比 ASP环比增长低双位数百分比 [3][39] - NAND收入22.52亿美元 同比-5% 环比+5% 位元出货量环比下降中个位数百分比 ASP环比增长高个位数百分比 [3][39] - HBM营收近20亿美元 年化规模近80亿美元 市场份额持续提升 客户群扩大至六家 [12][29] 终端市场表现 - 云存储部门收入45.4亿美元 同比+214% 环比+34% 受HBM及芯片需求推动 [3][40] - 移动与客户端部门收入37.6亿美元 同比+25% 环比+16% 由DRAM出货量增加及价格改善推动 [3][41] - 汽车与嵌入式部门收入14.3亿美元 同比+17% 环比+27% 由位元出货量增加驱动 [3][41] 技术与制造进展 - 1γ DRAM制程节点以破纪录速度达到成熟良率 比前代技术快50% 并实现首次营收 [27] - HBM4开发进度按计划进行 带宽超过2.8TB/s 引脚速度超过11Gbps 已向客户送样 [30][49] - 与台积电合作HBM4E 预计2027年推出 将提供标准及定制化产品 [12][30] - 在新加坡的HBM封装测试设施按计划推进 预计2027年贡献产能 [28] 市场需求与供给 - 预计2025年DRAM位元需求增长率高十位数百分比 NAND位元需求增长率低至中十位数百分比 [5][23] - 行业DRAM供应紧张 NAND市场状况持续走强 预计2026年进一步收紧 [5][23][36] - 客户库存水平健康 美光DRAM库存低于目标水平且持续改善 [23][55] 资本开支与产能 - 2025财年资本支出138亿美元 预计2026财年资本支出高于2025年 [5][37] - DRAM前道设备与晶圆厂建设推动2026财年资本支出增加 [5][37] - 1γ技术节点迁移将贡献2026年主要DRAM供应增长 [23][37] 各领域展望 - 数据中心:预计2025年服务器总出货量增长约10% 传统服务器从中个位数百分比增长上调 AI服务器增长强劲 [4][29] - PC:2025年出货量增长预期从低个位数上调至中个位数百分比 受Windows 10终止支持及AI PC普及推动 [4][16][32] - 智能手机:维持2025年出货量增长低个位数百分比 搭载12GB以上内存占比持续提升 [4][19][33] - 汽车:ADAS和AI车载娱乐系统推动内存需求增长 [4][19][35] 竞争与战略定位 - 美光在HBM LPDRAM及GDDR7产品领域保持技术领先 与NVIDIA合作推动LPDDR5在服务器应用 [16][31] - AI应用提升公司生产效率 在代码生成等场景生产力提升30%-40% 制造良率显著改善 [26] - 作为美国唯一内存制造商 美光在AI驱动内存需求中具备独特优势 [25][45]
【招商电子】美光FY25Q4跟踪报告:收入及EPS均超预期,数据中心需求叠加涨价周期驱动增长