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SiC中介层,成为新热点

行业背景 - 台湾半导体产业碳化硅产业链因英伟达对GPU性能需求而快速升温 [3] - 全球碳化硅龙头Wolfspeed于今年5月宣布破产 但同期台湾企业如环球晶宣布加码碳化硅新产品开发 [3] 技术变革驱动因素 - 英伟达新一代Rubin处理器为提升效能 计划将硅中介层材料替换为碳化硅 [3] - 高阶芯片功耗计划达1000伏特 远超特斯拉快充的350伏特电压 [4] - 碳化硅导热系数优于铜 能有效缓解大电流产生的高热问题 [4] - NVLink技术特性要求GPU与记忆体距离更近 碳化硅中介层可实现更高传输速度与功率 [4] 技术挑战与机遇 - 碳化硅硬度与钻石相当 切割技术不佳会导致表面波浪状 影响先进封装应用 [4] - 需使用绝缘单晶碳化硅制造中介层 且尺寸需与现有硅晶圆一致 [4] - 中国碳化硅制造商多限于6吋和8吋晶圆 台湾厂商投资更大尺寸产线形成差异化优势 [4] 产业链动态 - 台积电邀集各国厂商共同研发碳化硅中介层制造技术 [5] - 日本DISCO等切割设备商正在研发新一代雷射切割机台 [5] - 英伟达Rubin GPU第一代仍采用硅中介层 待新设备到位后碳化硅中介层制造将更顺利 [5] - 碳化硅中介层技术预计最晚后年(2026年)进入先进封装领域 [5] 应用场景 - 该技术目前仅应用于最尖端AI芯片 [5] - 碳化硅中介层在CoWoS封装中承担"楼板"功能 承载GPU并连接高性能记忆体 [3]