台积电CoPoS先进封装技术 - 公司推出全新CoPoS（Chip-on-Panel-on-Substrate）平台，整合CoWoS与FOPLP技术优势，采用方形面板设计，解决大尺寸AI芯片的翘曲与成本问题，成为下一代高效封装关键[2] - CoPoS技术核心在于用大型方形面板RDL层替代传统圆形硅中介层，引入玻璃/蓝宝石等新材料，支持更大封装面积（310×310mm至750×620mm）和光罩尺寸，提升面积利用率与良率，主要针对AI/HPC芯片应用[2][4] - 技术结合FOPLP批次封装成本优势，通过玻璃基板实现晶圆重布线和穿孔工序，显著提高高阶AI芯片封装产量[4] 技术对比与差异化 - CoPoS与CoWoP架构差异显著：前者"P"指玻璃基板，主攻封装规模扩大和产能提升；后者"P"为PCB板，专注解决高阶GPU芯片散热与效能强化问题[5] - CoPoS通过方形面板设计实现FOPLP的批量生产优势，而CoWoP跳过传统基板直接将芯片焊接于强化主板[4][5] 产能布局与时间规划 - 公司计划2026年在采钰建首条CoPoS实验线，量产据点设于嘉义AP7厂P4/P5厂区，最快2028年底量产[2][5] - 美国亚利桑那州先进封装厂将同步导入CoPoS与SoIC技术，形成台美双基地布局[2][5] - 嘉义AP7厂此前传闻可能生产2纳米A16制程芯片[5]