核心财务表现与指引 - 公司FY26Q1（对应2025年9-11月）营收136.4亿美元，同比增长57%，环比增长21%，高于市场预期的129.2亿美元 [3] - 公司预计FY26Q2营收187亿美元，同比增长132%，环比增长37% [3] - FY26Q1 GAAP毛利率56%，同比提升17.6个百分点，环比提升11.3个百分点；预计FY26Q2毛利率67%，环比提升11个百分点，远超此前峰值 [3] - FY26Q1 GAAP净利润52.4亿美元，环比增长64%，高于市场预期的43.3亿美元；预计FY26Q2 GAAP净利润93.4亿美元，环比增长78% [3] - FY26Q1经营现金流84.1亿美元，环比增长47%，远超此前峰值 [3] 分业务表现 - DRAM业务营收100.4亿美元，同比增长57%，连续9个季度增长，营收占比74%；DRAM bit出货量环比微增，ASP环比增长20% [7] - NAND业务营收24.5亿美元，同比增长9%，重返增长，营收占比降至历史极低值18%；NAND bit出货量环比增长中高个位数，ASP环比增长mid-teens% [9] - 以云计算客户DRAM和HBM为代表的CMBU业务营收52.8亿美元，同比增长100%，毛利率66% [13] - 以手机/PC DRAM、NAND为代表的MCBU业务营收42.6亿美元，同比增长63%，毛利率54% [13] - 以OEM客户数据中心DRAM、NAND为代表的CDBU业务营收23.8亿美元，同比增长4%，毛利率51% [13] - 以汽车/工业/消费DRAM、NAND为代表的AEBU业务营收17.2亿美元，同比增长49%，毛利率45% [13] HBM业务进展与前景 - 本季度HBM营收环比增长再创新高，超过20亿美元 [16] - 2026年HBM产能已全部售罄，量和价均已锁定 [16] - HBM4（逻辑Die自研）将于2026年第二季度出货，良率提升速度预计比HBM3E更快 [16] - 预计2025年HBM总市场规模（TAM）超过350亿美元，到2028年增长至1000亿美元，较此前预期提前两年 [16] - 2027年量产的HBM4E逻辑Die将与台积电合作，可做定制化，定制版毛利率高于标准品 [16] 数据中心与服务器业务 - 预计2025年服务器出货量同比增长high-teens%（上调） [16] - 公司主要数据中心产品包括HBM、高密度D5/LP5以及数据中心SSD三大类 [16] - 本季度数据中心NAND营收超过10亿美元，数据中心SSD需求强劲 [16] - 公司已首发PCIe Gen6 SSD，目前正在超大规模客户处验证 [16] - 在大容量存储中，QLC 122TB/245TB G9 SSD正在多家超大规模客户处验证 [16] PC与智能手机业务 - 预计2025年PC出货量同比增长高个位数（上调） [16] - 预计2026年内存供应受限可能影响PC出货 [16] - 预计2025年智能手机出货量同比增长低个位数 [16] - 本季度59%的旗舰手机搭载12GB以上DRAM [16] - 本季度基于1-gamma工艺的16Gb LPD6产品、24Gb LP5X产品开始送样 [16] 工业与汽车业务 - 本季度工业需求复苏，汽车业务design wins达数十亿美元 [16] - D4/LP4产品需求强劲，弗吉尼亚Fab扩产计划将支撑工业客户需求 [16] 行业供需与产能规划 - 预计2025年DRAM bit需求增长low-20%s（上调），NAND bit需求增长high-teens%（上调） [17] - 预计2026年公司DRAM/NAND bit出货量皆同比增长20% [17] - 预计DRAM、NAND供不应求将持续至2026年以后 [17] - 产能增长主要受限于洁净室空间，而非设备 [17] - 上调FY26资本支出指引至200亿美元（上季度为180亿美元），大部分与HBM及其他DRAM相关 [17] - 正在与几家关键客户商讨涉及DRAM和NAND的多年期合同，包含具体承诺和更强有力的合同结构 [17] 具体产能扩张项目 - 爱达荷ID1工厂预计2027年年中实现DRAM量产 [17] - ID2工厂2026年开工，量产时间在2028年 [17] - 日本Fab进行洁净室扩建 [17] - 纽约州Fab计划2026年初动工，2030年开始量产 [17] - 新加坡HBM封测工厂预计2027年量产 [17] - 印度封测厂已启动试产，将于2026年量产 [17] 技术与产品进展 - 公司80%员工使用AI工具，约30%代码由AI参与完成 [3] - 本季度送样192GB LP SOCAMM2产品 [16] - 已完成多家16Gb 1-gamma D5和G9 PCIe Gen4 QLC SSD客户验证 [16] - 预计FY26末G9将成为QLC NAND最大节点 [17] - 新增前道扩产重点放在1-gamma节点的主流DRAM，以服务整体DRAM bit增长与成本曲线 [17] - 通过将非HBM DRAM迁移到1-gamma节点，释放出的1-beta产能可用于支撑HBM所需的前道晶圆供给 [17]