英特尔:18A工艺已大规模量产,晶体管密度提升30%

技术进展 - 英特尔18A制程工艺已在亚利桑那州Fab 52工厂进入大规模量产阶段 [1] - 该工艺采用全环绕栅极晶体管和背面供电技术,实现能效与密度的双重进步 [1] - 与上一代工艺相比,18A工艺在相同能耗下性能提升15%,晶体管密度提升30% [1] 战略意义 - 18A技术被定位为英特尔下三代技术的基石 [1] - 公司正基于该技术快速推进后续几代产品的研发 [1]