公司技术突破与产能进展 - 半导体收入占比不断提升且订单快速增长 [1] - 12英寸碳化硅衬底加工中试线正式通线 实现晶体生长到检测环节全线设备自主研发及100%国产化 [1] - 攻克12英寸碳化硅晶体生长温场不均和晶体开裂难题 成功长出12英寸导电型碳化硅晶体 [4] - 已具备6英寸和8英寸衬底产能扩产能力 同时掌握12英寸生产技术 [4] 碳化硅材料特性优势 - 热导率达490W/m·K 较硅材料高出2-3倍 [2] - 耐化学性优于硅中介层 可刻蚀出109:1深宽比通孔（硅中介层仅17:1）显著缩小CoWoS封装尺寸 [2] - 高折射率使AR镜片单层即可实现80度以上FOV 解决光波导彩虹纹和色散问题 [3] - 高硬度和热稳定性支持刻蚀工艺 提升产能和良率 [4] 碳化硅应用领域拓展 - 成为CoWoS结构中介层理想材料 满足英伟达H100到B200系列GPU高散热需求 [2] - 作为AR眼镜镜片基底材料 提供更轻薄尺寸及更大更清晰视觉效果 [3] - 高热导性提升AR眼镜散热能力和性能表现 [3]