公司技术突破 - 旗下浙江晶瑞SuperSiC首条12英寸碳化硅衬底加工中试线正式通线 实现晶体生长 加工到检测环节全线设备自主研发与100%国产化 [1] - 中试线覆盖晶体加工 切割 减薄 倒角 研磨 抛光 清洗及检测全流程工艺 所有环节均采用国产设备与自主技术 [3] - 高精密减薄机 倒角机 双面精密研磨机等核心设备由公司多年研发攻关完成 性能指标达到行业领先水平 [3] 行业技术发展 - SiC作为第三代半导体材料核心代表 具备耐高压 高频 高效等特性 广泛应用于新能源汽车 智能电网和5G通信等领域 [3] - 12英寸SiC衬底相较8英寸产品单片晶圆产出量提升约2.5倍 显著降低长晶 加工和抛光等环节单位成本 [3] - 技术逐渐在AR设备 先进封装等新兴应用场景中发挥关键作用 [3] 产业战略意义 - 公司形成12英寸SiC衬底从装备到材料的完整闭环 彻底解决关键装备卡脖子风险 [3] - 技术突破标志着公司在全球SiC衬底技术上由并跑迈向领跑 进入高效智造新阶段 [1] - 为下游产业提供新的成本与效率基准 [3]