技术突破与研发进展 - 公司基于自主研发的碳化硅单晶生长炉及8-12英寸长晶工艺 实现12英寸导电型碳化硅晶体生长技术突破 攻克温场不均和晶体开裂等核心难题 [1] - 创新晶体生长温场设计及气相原料分布工艺 持续迭代升级长晶工艺 [1] - 开发碳化硅长晶及加工全链条设备 包括研磨、切割、减薄、倒角、抛光、清洗及检测设备 [1] 产业链布局与客户生态 - 碳化硅设备客户覆盖行业头部企业 包括瀚天天成、东莞天域、芯联集成、士兰微 [1] - 紧抓碳化硅产业链向8英寸转移趋势 加强8英寸碳化硅外延设备及6-8英寸减薄设备市场推广 [2] - 积极推进碳化硅氧化炉、激活炉及离子注入等设备的客户验证 市场工作进展顺利 [2] 业务发展与财务表现 - 半导体业务受益于行业持续发展及国产化进程加速 截至2025年6月30日未完成集成电路及化合物半导体装备合同超37亿元（含税） [2] - 碳化硅设备技术工艺及成本优势构筑壁垒 强化公司在衬底领域的核心竞争力 [1] - 设备开发满足公司碳化硅衬底规模化产能建设需求 为量产奠定基础 [1][2]