东微半导(688261.SH):第四代SiC MOSFET产品技术平台已完成研发
公司业务布局 - 公司很早布局SiC业务 以高性能电源应用方向为切入口开展研发工作[1] - 第四代SiC MOSFET产品技术平台已完成研发[1] 产品进展 - SiC MOSFET、SiC SBD和Si2C MOSFET产品已实现规模化量产[1] - 产品性能指标与同类型竞品相比优势明显[1] - 产品已送样多个头部客户并实现design win[1] 发展前景 - 高性能电源业务发展将为SiC业务提供持续推动力[1] - 相关营收规模数据需关注公司定期报告披露[1]