核心技术特点 - CoWoP代表Chip-on-Wafer-on-PCB技术路径 在完成芯片-晶圆中介层制造步骤后 中介层直接安装到PCB上 而非绑定到ABF基板上[2] - 通过去除CoWoS封装中的ABF基板层 直接连接中介层与PCB 利用高密度PCB技术简化系统结构[1] - 潜在优势包括减少传输损耗提升数据传输效率 改善热管理性能 降低基板成本 并可能减少后端测试步骤[5] 技术挑战 - PCB技术目前仅能达到20-30微米线/间距宽度 远低于ABF基板的亚10微米能力 与AI加速器期望性能存在显著差距[6][7] - 高密度互连PCB的线/间距为40/50微米 类基板PCB仅达20/35微米 缩小至10/10微米以下存在重大技术难度[8] - 技术扩展面临挑战 目前仅苹果公司采用类似技术但节距尺寸更大且PCB板面积更小 大型GPU需要更高载流能力[4] 商业化前景 - 中期商业化概率较低 受制于多重技术挑战 且高附加值封装生态系统参与者如台积电参与度不高[7][8] - 英伟达现有路线图向CoWoS-L和CoPoS发展 与CoWoP新方向存在矛盾 进一步降低商业化可能性[8] 供应链影响 - 对ABF基板厂商构成负面冲击 基板附加值可能大幅减少或完全消失 信号路由将转移至RDL层和高端PCB层[6] - 对PCB制造商构成重大机遇 具备先进mSAP能力及基板/封装工艺知识的公司更具优势[1][6] 行业创新意义 - 英伟达通过系统级方法持续引领数据中心AI基础设施创新 率先推出CoWoS-L封装并探索CoWoP/CoPoS技术[9] - 公司可能领导大规模共封装光学应用和1.6T光学技术发展 预计在未来数年内保持GPU领域领先优势[9]