行业与公司 * 行业为全球内存技术 重点关注DRAM和NAND闪存市场 涉及公司包括三星电子 海力士 美光 华为等[1][3][4] 核心观点与论据 内存价格强劲反弹 * DDR5现货价本周上涨10% 达6.8美元 创历史新高 较2023-2024年低点4美元大幅上涨[1][7] * 传统DDR4 8Gb现货价本周也上涨6%[1] * DDR5价格年内复苏非常渐进 通常每周仅上涨1-2% 本周突然加速[1] * 三大催化剂驱动价格上涨 需求增强 旧PC和服务器的内存容量增加和更换周期 产能转向HBM4 SOCAMM和GDDR7 以及四季度供应短缺前的渠道库存补充[1] * 一些OEM和内存模组制造商希望签订2026年年度合同 以更高价格确保DDR5供应量 传统DRAM合同通常按季度进行[1] * 三星电子的1c节点产能对DDR5非常紧张 目前几乎没有 预计到2026年底也仅占DDR5总产量的低个位数百分比 而HBM4将100%使用1c节点 这将导致传统DRAM供应短缺持续到2026年[1] * 内存芯片制造商可能尝试将四季度DDR5合同价格较季度前目标上调10%以上 此前目标为5%左右[1] * 8Gb DDR4现货价从3月低点1.7美元上涨250%以上 达6.1美元[17][18] * 16Gb DDR4现货价反弹至10美元[22][23] * 3季度NAND合约价3.4美元 较1季度低点2.6美元上涨30% 预计4季度价格将进一步上涨[32] * DDR4合约价在3季度环比上涨约150% 预计4季度环比上涨20-25% 而DDR5在3季度环比上涨9% 预计4季度环比上涨中个位数[29] * DDR4价格在3季度同比增长2-3倍 而DDR5同比增长约20%[37][38] * 6月DDR4价格首次超过DDR5 目前16Gb DDR4合约价12美元 是16Gb DDR5合约价5.2美元的两倍多[42] * 服务器DRAM合约价目前接近历史高位 DDR5超过250美元 DDR4超过200美元[44][45] 新技术与产能转换 * NVIDIA新推出的Vera Rubin NVL 144 CPX预计将使用三种内存类型 总量约100TB HBM4约40TB用于Rubin GPU训练 GDDR7约24TB用于情境推理 SOCAMM约36TB用于Vera CPU计算 取代LPDDR5[2] * 其内存容量是当前Blackwell Ultra NVL 72的2.5倍 后者约40TB 约20TB HBM 约20TB LPDDR5 无GDDR7 普通版Vera Rubin 144基于约80TB内存 仍比Blackwell Ultra高2.0倍[2] * 与HBM不同 SOCAMM不需要TSV 只需额外的线焊即可实现694个I/O 而LPDDR5模块不足300个 SOCAMM带宽仅为0.2TB/秒 无法替代提供2.0TB+带宽的HBM4[2] * 这表明其相对于LPDDR5的价格溢价有限 低于50% 而HBM溢价300%+ 但比GDDR7便宜 GDDR7可以替代低端HBM 净效应是 Rubin也可能加速产能从DDR5转向SOCAMM和GDDR7[2] * 三星电子的12层HBM3e似乎已通过NVIDIA质量测试 这与管理层预期一致 鉴于海力士的强势地位 预计大额订单不会很快确认 但4季度价值10亿美元的出货量可能占HBM总销售额的40%以上[3] 中国市场动态 * 中国8月半导体设备进口额同比增长12% 高于市场预期的0%左右 韩国芯片制造商在美国限制 12月 前为西安和无锡晶圆厂升级而进行的额外支出可能是贡献因素之一[4] * 华为发布了其下一代GPU产品线 例如2026年的Ascend 950 但它们仍基于传统的等效HBM2内存 而非任何先进的HBM4+[4][75] 其他重要内容 * 中国半导体设备进口额在6-8月保持12-14%的同比增长 而2月至5月为同比下降[72][73] * 华为计划发布新的Ascend芯片系列 2026年的内存规格仍然较低 等效于传统HBM2 但计划在2028年前使用HBM3/3e/4[75] * 大多数内存股出现强劲反弹 包括海力士 三星 南亚科技等 得益于对HBM4的更多乐观情绪以及大宗内存价格复苏[96][97] * 本周全球科技股出现强劲反弹 可能由于AI增长主题[101]