俄罗斯EUV光刻技术路线图 - 俄罗斯科学院微结构物理研究所制定了国产极紫外光刻设备的长期路线图 工作波长为11.2纳米 项目从2026年启动并延续至2037年 最终集成亚10nm制造工艺 [2] - 技术方案采用混合固态激光器、基于氙等离子体的光源以及钌/铍反射镜 规避了ASML锡液滴方案产生的碎屑问题 降低维护需求 同时简化设计避免高压浸没液和多重图形化步骤 [2] 三阶段发展计划 - 第一阶段（2026-2028年）：支持40nm工艺 配备双反射镜物镜系统 套刻精度10nm 曝光场3×3毫米 每小时吞吐量超5片晶圆 [3] - 第二阶段（2029-2032年）：支持28nm并向下兼容14nm 采用四反射镜光学系统 套刻精度提升至5nm 曝光场26×0.5毫米 每小时吞吐量超50片晶圆 [3] - 第三阶段（2033-2036年）：面向亚10nm制程 搭载六反射镜配置 套刻精度达2nm 曝光场最大26×2毫米 每小时吞吐量超100片晶圆 [3] 技术特性与市场定位 - 设备分辨率覆盖65nm至9nm制程 适配2025-2027年主流关键层工艺 单位成本结构显著低于ASML的Twinscan NXE和EXE平台 [3] - 11.2nm波长方案带来特殊反射镜、镜面抛光工具等复杂性 该波长并非行业标准 [4] - 方案定位小型代工厂的高性价比解决方案 通过清洁高效可扩展系统吸引被ASML生态排除的国际客户 [6] 商业化前景评估 - 路线图技术跨越幅度较大 可执行性尚未经过行业验证 商业化应用前景尚不明确 [2][6] - 若完全落地 将以显著更低的资本与运营成本实现先进芯片的本土制造与出口供应 [6]