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2Tb 3D QLC NAND存储设备
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SK海力士第9代3D NAND即将上市
半导体芯闻· 2025-08-26 10:09
如果您希望可以时常见面,欢迎标星收藏哦~ 来 源 :内容来自 tom'shardware 。 周一,SK海力士宣布已开始批量生产其 321层、2Tb 3D QLC NAND 存储设备。该设备有望用于 数据中心,制造容量高达 244TB 甚至更高的超大容量 SSD,同时也能为个人电脑生产价格相对低 廉的高容量硬盘,足以与市面上一些顶级固态硬盘相抗衡。 SK海力士的 321层 2Tb (256GB) 3D QLC NAND 存储设备属于该公司的 V9Q 系列产品。其输 入/输出接口速度为 3200 MT/s,仅比最先进的 3D TLC NAND IC(如该公司即将推出的 V9T 321L 3D TLC NAND)的 3600 MT/s 略慢。此外,新的 2Tb V9Q IC 具备六个平面(据推测, 上一代 3D QLC NAND 设备为四个),这能实现更多的并行操作,显著提高了多重读取速度。 制造商声称,与 2023 年发布的旧款 V7Q 设备相比,其 2Tb V9Q 设备的写入性能提高了 56%, 读取性能提高了 18%。性能的提升归功于更高的输入/输出速度和强化的内部架构。此外,该公司 还声称,新的 2Tb ...