SK海力士推出第六代HBM4存储器 - 公司于3月19日推出第六代高带宽存储器HBM4，将用于Nvidia下一代AI加速器[1] - 已向Nvidia和Broadcom等主要客户提供首批HBM4 12层样品[1] - HBM4提供超过2TB/s带宽，比前代HBM3E快60%以上，并改善散热稳定性[1] - 技术垂直堆叠内存，1秒可处理400部5GB全高清电影[1] HBM技术路线图与市场地位 - 公司计划2025年上半年量产HBM3E 16层，下半年量产HBM4 12层，2026年量产HBM4 16层[1] - 2024年已推出HBM3E 8层和12层版本[1] - 2023年占据全球HBM市场65%份额，三星32%，美光3%[2] - 仍是Nvidia最新AI芯片主要供应商[2] 与Nvidia的合作进展 - Nvidia下一代AI芯片"Rubin"预计配备8-12个HBM4单元[2] - 在GTC 2025展示HBM4原型、HBM3E 12层芯片及Nvidia GB200超级芯片[2] - 公司将HBM4量产计划提前约一年以配合客户需求[2] 第六代DDR5 DRAM技术突破 - 成功开发全球首个1c工艺DDR5 DRAM，采用10纳米级精细工艺[3] - 1c技术可提高内存性能并降低功耗，对HPC和AI发展至关重要[4] - 技术突破有望提升HBM性能，通过缩小DRAM单元尺寸增加容量[4] - 芯片小型化对HBM热管理产生积极影响[4]