合作内容 - 天岳先进与东芝电子就SiC功率半导体用衬底达成基本协议 包括技术协作与商业合作 [1] - 技术协作针对SiC功率半导体特性提升与品质改善 [1] - 商业合作旨在扩大高品质稳定衬底供应 [1] 行业背景 - 功率半导体承担电力供应与控制功能 是实现电气设备节能化及碳中和不可或缺的半导体元件 [3] - 在设备电力使用效率提升等需求背景下 预计未来功率半导体市场需求将持续扩大 [3] - SiC衬底功率半导体应用于电动汽车 可再生能源系统等高效电力转换场景 [3] - 电力效率之外 可靠性与品质稳定性成为重要课题 [3] 东芝电子战略 - 以铁路用SiC功率半导体的开发 制造及供应实绩为基础 加速推进服务器电源用 车载用等SiC器件开发 [3] - 未来致力于进一步降低SiC功率半导体损耗 开发高可靠性 高效率产品 [3] - 除自主研发外 与SiC衬底技术改良的紧密协作至关重要 [3] - 与天岳先进合作有望为各应用场景提供最优解决方案 加速业务拓展 [3] 天岳先进技术实力 - 公司自2010年创立以来始终专注于单晶SiC衬底的开发生产 [4] - 将品质与技术研发作为核心经营理念 碳化硅衬底领域相关专利数量全球前五 [4] - 2022年作为中国首家SiC概念企业上市 实现全球化业务拓展与市场份额垂直增长 [4] - 2024年率先发布全球首款12英寸SiC衬底 [4] - 2025年实现n型 半绝缘型及p型全系产品12英寸衬底布局 [4] - 通过合作将把SiC功率半导体产品需求转化为衬底品质与可靠性提升 [4]