三星电子2025年第四季度业绩 - 2025年第四季度营业利润达20万亿韩元（约合人民币965亿元），同比大幅增长208%，高于市场预期的18万亿韩元，创下公司历史最高季度营业利润纪录 [1][3] - 第四季度销售额同比增长23%至93万亿韩元，连续两个季度突破80万亿韩元大关 [3] - 公司股价在2025年全年累计涨幅高达125%，创下二十六年来最大年度涨幅 [6] 存储芯片市场动态与涨价驱动因素 - 供应紧张和AI驱动的需求激增推高了传统存储芯片价格，是三星电子业绩超预期的主要原因 [4] - 2025年第四季度，DRAM芯片平均售价环比上涨超30%，NAND闪存平均售价环比上涨约20% [4] - 机构预测2026年第一季度DDR5价格将环比上涨40%，第二季度将进一步增长20% [4] - 三星电子与SK海力士已向客户提出，2025年第一季度DRAM报价将较去年第四季度大幅上涨60%至70% [4] - 价格上涨原因包括：芯片产业产能转向AI相关芯片挤压了传统存储芯片供应；训练和运行AI模型对各类芯片需求激增 [4] 三星电子在高带宽存储（HBM）领域的进展 - 公司在下一代HBM芯片（HBM4）的竞争优势获得客户高度评价 [4] - HBM4采用的先进1c工艺节点和4nm逻辑工艺，在速度和散热方面满足了客户需求 [5] - 随着HBM4进入商用阶段，预计三星电子2026年的HBM出货量将增加两倍 [6] 台积电先进制程供需与定价 - 台积电3nm制程持续供不应求，公司已调高3nm报价并暂时停止3nm新案启动 [1][8] - 订单满载、现有产能难以负荷，且扩产速度难以追上客户需求涌入是主要原因 [8] - 台积电鼓励处于产品规划初期的客户直接评估导入2nm制程 [8] 台积电2nm工艺前景与市场预期 - 台积电2nm工艺流片数量达到3nm同期的1.5倍，并有望凭借该工艺拿下全球AI加速器市场超过95%的份额 [9] - 为应对AI浪潮需求，公司计划至2026年底将2nm工艺的晶圆月产能提升至140,000片 [9] - 摩根大通预测2026年台积电营收将同比增长30%，2027年增速也维持在20%以上，核心驱动力是AI数据中心需求 [10] 台积电未来增长与资本开支 - 摩根大通将2024至2029年数据中心AI收入的复合年增长率预测从53%上调至57% [10] - 预计到2029年，数据中心AI业务将占台积电总营收的40%以上（2024年该比例仅为十几的中位数） [10] - 为应对2026年至2028年的强劲需求，台积电开启新一轮资本开支上行周期，预计2026年资本开支约480亿美元，2027年将跃升至550亿美元以支持N2、N3及美国工厂扩产 [11][12]