台积电N2 2nm工艺量产进展 - 台积电已低调开启N2 2nm工艺的大规模量产，进度与计划相符 [2] - 公司官网信息显示，2nm技术已按计划于2025年第四季度投入量产 [2] - 2025年N2产能将快速爬坡，客户包括NVIDIA、AMD、苹果、高通、联发科 [2] N2工艺技术特性与突破 - N2是台积电首个应用GAA（环绕栅极纳米片晶体管）的制程节点，类似Intel RibbonFET [2] - 该技术通过栅极完全包裹水平堆叠纳米片构成的导电沟道，优化静电控制，降低漏电率，从而在不牺牲性能与能效的前提下缩小晶体管尺寸，提升密度 [4] - N2是公司首款采用纳米片技术的GAA晶体管工艺，被视为半导体制造技术的革命性飞跃 [4] - 官方宣称N2将成为业界在密度和能源效率上最先进的半导体技术，为全制程节点提供显著的性能及功耗进步 [4] N2工艺性能与成本数据 - 对比前代N3E工艺，N2晶体管密度提升1.15倍，功耗可降低24%-35%，性能提升15% [4] - N2工艺的SRAM密度达到37.9Mb/mm²，创下业界新纪录，为高性能计算和人工智能应用提供更强硬件支持 [4] - 据行业消息，N2工艺初期晶圆代工价格将达到每片3万美元，折合人民币超过20万元 [4] - 高昂的价格意味着只有财力雄厚的大厂才能负担，进一步巩固了台积电在高端制程市场的领先地位 [4]