三星DRAM,重返榜首
半导体芯闻·2025-12-30 10:24

文章核心观点 在人工智能发展的推动下,高带宽内存需求激增,三星电子凭借其在HBM领域的竞争力复苏、多样化的专用内存解决方案以及有利的卖方市场环境,有望在第四季度重夺全球顶级内存半导体公司地位,并在明年巩固其市场领导地位 [1] HBM竞争力复苏与市场份额变化 - 三星HBM市场份额在第三季度从第二季度的15%提升至22%,以1个百分点优势超越美光,重回市场第二位 [2] - 在整体DRAM市场份额方面,三星与领先的SK海力士的差距在第三季度缩小至1个百分点 [2] - 公司预计明年HBM出货量将比今年增长140%,HBM市场份额预计将从今年的18%升至明年的29% [3] - 三星在HBM4研发上取得进展,声称速度超越SK海力士,并在英伟达的SiP测试中获得最高评价,将技术差距从数月缩短至几个月 [3] 专用内存解决方案的多样化布局 - 公司为人工智能数据中心开发了第二代SOCAMM,其数据处理速度低于HBM,但显著降低了功耗和发热,已向英伟达提供样品并即将商业化 [4] - KB证券预计,明年三星向英伟达供应的SOCAMM2将达到100亿GB,占英伟达SOCAMM2总需求的50% [4] - 在移动设备DRAM方面,苹果iPhone 17所使用的LPDDR5X内存中,高达70%来自三星 [5] 市场供应环境与财务表现 - 存储半导体价格已连续数月大幅上涨,三星在第四季度将DRAM价格提高了约40% [5] - 有报道称,三星DRAM的营业利润率已超过50% [6] - 三星半导体业务预计今年第四季度营业利润将接近15万亿韩元,占公司季度总营业利润的75% [6] - 随着HBM4在明年下半年全面上市,半导体业务营业利润预计将大幅增长,多家证券公司上调了对三星明年营业利润的预测,上限从90万亿韩元上调至接近115万亿韩元,其中半导体业务营业利润预计将达到80万亿至100万亿韩元 [6]