文章核心观点 - AI驱动存储行业进入强劲复苏与结构性增长的新周期，其核心特征是“量价齐升”与利润扩张，且本轮周期由企业级AI资本开支驱动，与过往消费电子驱动的周期逻辑不同 [7][13][14] 业绩拆解：AI驱动的“量价齐升+利润爆炸” - 营收与盈利碾压预期：美光FY26Q1单季营收136.4亿美元，同比大增57%，环比增21%，增速创近五年新高 [8] 调整后EPS为4.78美元，远超市场预期的3.95美元 [5] 非GAAP毛利率飙升至56.8%，同比暴涨17.3个百分点，环比提升11.1个百分点，远超指引 [11] - 现金流创纪录：运营现金流达84.1亿美元，远超59.4亿美元预期 调整后自由现金流39.1亿美元，创历史纪录，自由现金流利润率接近30% [11] - 产品结构彰显增长核心：DRAM业务营收108亿美元，占总营收79%，环比增20%，其增长主要由ASP（平均销售价格）环比暴涨约20%驱动，比特出货量仅小幅增长 [12] NAND业务营收27亿美元，占总营收20%，环比增22%，呈现“量价齐升”态势 [12] HBM成为最耀眼明星，美光2026年HBM产能已全部售罄，且提前锁定客户与价格 [12] 行业驱动力：AI“吞噬式需求”与供给紧张 - 需求端：AI驱动全品类普涨：本轮周期由AI算力基建与HBM技术革命驱动，AI数据中心产生“吞噬式”需求 [15] HBM价格年内暴涨500%，DDR4价格涨幅超50%，从消费级到企业级存储产品全线上涨，态势在行业历史上极为罕见 [15] 需求来源多元化，包括云端数据中心扩建、企业端私有AI模型部署以及汽车电子领域 [16][17] - 供给端：严重不足且调整缓慢：预计CY26行业DRAM和NAND位出货量增长均仅约20%，远低于需求增速，供不应求态势将持续至2026年及以后 [19] 存储晶圆厂调整生产周期长达5个月以上，无法快速响应市场变化，加剧供需失衡 [19] 产能分配面临挑战，公司需在HBM与传统DRAM、不同终端市场间进行平衡，优先支持数据中心等战略客户 [20] 未来展望：决定增长可持续性的关键信号 - 短期业绩指引极为乐观：美光对FY26Q2给出强劲指引，调整后营收中值约187亿美元，远超市场预期的143.8亿美元 调整后EPS指引为8.42±0.2美元，大幅超越预期的4.71美元 非GAAP毛利率指引达68%±1%，高于预期的55.7% [24] - 产能与技术爬坡进度至关重要：新建工厂产能贡献主要在2027年及以后，此前现有工厂效率提升与制程节点转换是关键 [25] DRAM的1-gamma节点、NAND的232层节点量产良率，以及HBM4在CY26Q2的量产与良率提升速度，将直接影响供给与盈利能力 [26] - 长期需关注供需平衡与价格走势：短期涨价动力强劲，但2027年后行业供给将逐步增加 [27] 长期价格走势取决于AI需求的持久力能否消化新增产能 [27] 地缘政治风险可能对全球半导体供应链与产能分配产生影响 [27] 市场前景与行业格局 - HBM市场空间巨大：预测显示，2025年HBM市场空间约350亿美元，2028年将飙升至1000亿美元，复合增长率约40% [12] - 存储市场规模有望创新高：据预测，2025年全球存储市场规模有望达到1932亿美元，创历史最高记录 [22] - 韩国厂商竞争力增强：三星记忆体部门与SK海力士Q4毛利率预计达63%-67%，有望七年来首次超越台积电的60% [5]