韩国半导体技术路线图核心内容 - 韩国半导体工程师学会发布《2026年半导体技术路线图》，预测未来15年硅基半导体技术发展，目标是提升长期技术与产业竞争力、推动学术研究落地、完善人才培养体系 [1] - 路线图预计到2040年半导体电路制程将突破至0.2纳米，迈入埃米级（Å）技术时代，但实现1纳米以下晶圆制程目标道阻且长 [1] - 路线图重点聚焦九大核心技术方向：半导体器件与制造工艺、人工智能半导体、光互连半导体、无线连接半导体传感器、有线连接半导体、功率集成电路模块（PI M）、芯片封装技术以及量子计算 [1] 先进制程与晶体管架构演进 - 三星已推出全球首款2纳米全环绕栅极（GAA）芯片Exynos 2600，代表着全球光刻制程最高水平 [2] - 三星已完成第二代2纳米GAA工艺节点基础设计，并计划在两年内落地第三代2纳米GAA技术SF2P+工艺 [2] - 路线图指出，到2040年，0.2纳米制程将采用互补场效应晶体管（CFET）的全新晶体管架构，并搭配单片式3D芯片设计方案 [2] 三星的研发规划与技术应用 - 三星已组建专项团队启动1纳米芯片研发工作，目标在2029年实现量产 [2] - 技术突破将应用于移动终端系统级芯片（SoC）和存储芯片领域 [2] - DRAM内存电路制程将从目前的11纳米缩减至6纳米 [2] - 高带宽内存（HBM）有望从现有的12层堆叠、2TB/s带宽，提升至30层堆叠、128TB/s带宽 [2] 存储与AI芯片技术展望 - 在NAND闪存领域，SK海力士已研发出321层堆叠的QLC技术，路线图预测未来将实现2000层堆叠的QLC NAND闪存 [3] - 当前人工智能处理器算力最高可达10 TOPS（每秒万亿次运算） [3] - 路线图预计15年后，用于模型训练的AI芯片算力可达1000 TOPS，用于推理任务的芯片算力也将达到100 TOPS [3]