12英寸SiC,全球首发
半导体芯闻·2025-12-25 10:20

(来源 :半导体芯闻综合 ) 点这里加关注,锁定更多原创内容 *免责声明:文章内容系作者个人观点,半导体芯闻转载仅为了传达一种不同的观点,不代表半导体芯闻对该 观点赞同或支持,如果有任何异议,欢迎联系我们。 推荐阅读 10万亿,投向半导体 芯片巨头,市值大跌 黄仁勋:HBM是个技术奇迹 Jim Keller:RISC-V一定会胜出 全球市值最高的10家芯片公司 如果您希望可以时常见面,欢迎标星收藏哦~ 据福建日报消息,近日,厦门火炬高新区企业瀚天天成依托研发团队的自主技术攻坚,成功开发出 全球首款12英寸高质量碳化硅外延晶圆。这一突破不仅能显著提高下游功率器件的生产效率,更 将大幅降低碳化硅芯片的单位制造成本,为碳化硅产业规模化、低成本应用奠定关键基础。 据悉,相较于当前主流的150mm(6英寸)碳化硅外延晶圆,以及尚处产业化推进阶段的200mm (8英寸)晶圆,300mm(12英寸)晶圆凭借直径的显著扩容,在相同生产工序下,单片可承载的 芯片(器件)数量实现大幅提升——较6英寸晶圆提升至4.4倍,较8英寸晶圆提升至2.3倍。 目前,瀚天天成已启动12英寸碳化硅外延晶圆的批量供应筹备工作。产品在关键性能指标上 ...