文章核心观点 - 人工智能驱动的需求激增导致高带宽内存（HBM）供应持续短缺，预计将持续数年，并引发存储芯片行业的结构性转变 [1][2][4] - HBM3E价格因需求远超供应而罕见上涨约20%，且主要存储制造商将产能优先分配给利润更高的HBM及企业级产品，导致消费电子领域面临内存短缺和成本压力 [2][3][11][12] - 存储芯片行业正经历前所未有的繁荣，美光、三星电子和SK海力士等主要厂商的财务表现和未来预期大幅上调，行业竞争格局和增长逻辑发生根本性变化 [4][5][7][16][17] HBM市场供需与价格动态 - HBM3E供应价格已上调近20%，此轮涨价实属罕见，因通常在下一代产品发布前价格会下降 [2] - 价格上涨主因是需求超出预期且供应受限：英伟达H200 AI芯片获准出口中国，谷歌、亚马逊等大型科技公司明年将发布搭载HBM3E的AI加速器，订单激增 [2][3] - 供应受限因三星电子和SK海力士等内存半导体公司正集中精力扩大下一代HBM4的产能，难以满足HBM3E的当前需求 [2][3][4] - 英伟达计划利用现有库存处理首批H200芯片订单，预计总出货量为5000至10000个芯片模块（约40000至80000片芯片） [3] - 谷歌第七代TPU每个设备可搭载8个HBM3E单元，亚马逊Trainium3可搭载4个，与上一代相比HBM容量提升近20%至30% [3] - 预计2025年HBM市场规模约350亿美元，到2028年将以约40%的复合年增长率增长至约1000亿美元，届时将超过2024年整个DRAM市场的规模 [6] - 预计2026年内存产能（包括HBM4）已售罄，美光预测HBM需求将持续强劲 [6] 主要存储芯片公司业绩与展望 - 美光科技：截至11月27日的季度营收为136.4亿美元，同比增长56.6%；GAAP利润为52.4亿美元，同比增长231%；利润率从上一季度的28.3%上升至38.4% [5] - 美光计划扩大产能以满足HBM需求，包括调整爱达荷州和纽约晶圆厂建设时间表，以及在新加坡建设HBM先进封装工厂 [5][6] - 三星电子：市场对其明年全年营业利润预期从三个月前的44.1092万亿韩元大幅上调94%至85.4387万亿韩元，有预测可能超过100万亿韩元 [4][7] - SK海力士：市场对其明年营业利润预期在三个月内上调66%，从45.9060万亿韩元增至76.1434万亿韩元 [4][8] - 业绩预期上调主要驱动力是DRAM价格上涨以及AI需求推动HBM出货量增加 [7][8] - 存储芯片制造商当前净利润总额已超过不久前的营收水平，财务实力达到前所未有的高度 [17] 存储行业结构性转变与消费电子挑战 - 内存短缺被描述为“前所未有的拐点”，是结构性而非周期性短缺，因制造商将硅晶圆产能从消费电子产品永久性、战略性地重新分配给AI数据中心使用的内存 [11][12] - 分配给英伟达GPU的HBM堆叠的每一片晶圆，都意味着中端智能手机或消费级笔记本电脑缺少一片晶圆，这是一场零和博弈 [12][13] - 预计2026年DRAM和NAND的供应增长将低于历史平均水平，同比分别仅增长16%和17% [13] - 消费电子设备制造商面临挑战：美光已停止直接向消费者销售内存以保障AI和数据中心供应 [9] - 智能手机行业受影响显著：内存成本占中端机型物料清单总成本的15%到20%，高端机型为10%到15% [13] - 成本上涨将挤压TCL、传音、Realme、小米等低利润厂商的利润空间，迫使其提价或降低配置 [14] - 高端市场如苹果和三星拥有结构性优势，能提前锁定供应，但2026年新款旗舰机型可能不会升级内存配置 [14] 行业竞争格局与历史周期对比 - 存储芯片行业传统上具有剧烈的繁荣与萧条周期，产品同质化（大宗商品）及产能建设滞后导致供过于求与价格暴跌 [16] - 目前仅剩四家主要内存芯片制造商，竞争集中 [16] - 当前繁荣被认为与历史不同，AI计算领域的巨额支出带来了复利效应，创造了前所未有的需求，且供应因技术难度高而持续受限 [17] - 三星在满足AI设备制造商需求方面反应迟缓，其以往通过快速提高产量来影响市场的策略此次未能奏效，这有助于维持价格高位 [18] - 考虑到工厂建设周期长，除非AI需求崩溃，否则2026年不太可能出现内存芯片过剩 [18] - 行业形势瞬息万变，就在2023年，SK海力士和美光两家公司合计净亏损超过100亿美元 [18]