史上最强存储上涨周期?瑞银:预计DDR季度环比上涨35%,NAND短缺至少到明年Q3
美股IPO·2025-12-11 13:00

行业核心观点 - 存储行业正面临前所未有的供需紧张局面,预计将促成近30年来最强劲的上涨周期 [1][2][4] - 供应短缺情况前所未见:DRAM短缺预计持续到2027年第一季度,NAND短缺预计延续至2026年第三季度 [1][2][3] - 客户正积极锁定长期供应,大型云服务商已将预购订单延伸至2028年,以确保供应安全 [2][9] 供需状况与价格预测 - DRAM供需:DDR需求预计增长20.7%,远超供应增长18.6%,导致持续短缺 [1][3] - NAND供需:同样面临持续短缺局面 [1][2] - 价格预测: - 预计今年四季度DDR合约定价环比上涨35%,NAND价格上涨20%,涨幅远超此前预期 [1][2] - 预计2026年第一季度DDR合约定价将进一步环比上涨30%,NAND价格上涨20% [2] 需求驱动因素 - AI服务器需求激增:成为关键推动因素,AI服务器单位存储容量大幅提升 [3] - HBM(高带宽存储)需求爆发:预计2026年HBM需求将达276.7亿Gb,同比增长59.9% [3] - 传统应用需求强劲:智能手机、PC存储配置持续升级,服务器领域的数字化转型和云计算提供稳定增长动力 [8] - 传统服务器需求上行:2025年第三季度服务器采购量同比增长41.8%,前9个月增长27.3%,为存储产业提供支撑 [11] 库存与采购行为 - 库存水平低位:表明实际需求强劲,而非投机性囤货 - 服务器DDR库存维持在11周 [2][9] - PC和移动DRAM库存为9周 [2][9] - SSD库存为8周 [2][9] - 采购策略转变:客户为保供应,纷纷签署锁定供应量但不锁定价格的长期预购订单(PPO),大型云服务商订单已延伸至2027-2028年 [9] HBM市场详细分析 - 总需求增长迅猛:预计2026年总HBM需求将达到27.67 bn Gb(即276.7亿Gb),同比增长59.9% [3][5] - 主要供应商出货预测(单位:M 1Gb): - SK海力士:预计2025年出货12,714,2026年出货18,812,同比增长48.0% [10] - 三星:预计2025年出货4,234,2026年出货7,513,同比增长77.4% [10] - 美光:预计2025年出货4,596,2026年出货7,351,同比增长59.9% [10] - 竞争格局:HBM市场竞争格局相对稳定,SK海力士有望继续占据约70%的HBM4市场份额,并可能成为谷歌TPU 7p的首选HBM3E供应商 [11] 投资观点与目标价调整 - 瑞银大幅上调主要存储厂商目标价: - SK海力士目标价从71万韩元上调至85.3万韩元,维持关键买入评级 [11] - 三星电子目标价从12.8万韩元上调至15.4万韩元,维持买入评级 [11] - 南亚科技目标价从新台币140元上调至190元,评级从中性上调至买入 [11]