行业背景与技术挑战 - 人工智能时代对高性能、低功耗存储器需求凸显，基于自旋轨道力矩写入机理的磁随机存储器因其超高速、低功耗及无限次擦写特性，成为缓存级非易失存储芯片研发热点 [1] - 行业知名研究机构及领先代工厂已在SOT-MRAM领域探索多年，中国公司如驰拓科技、致真存储、凌存科技等也在研发相关技术 [1] - 已披露的各类SOT-MRAM技术路线普遍面临制造良率瓶颈、器件性能与可靠性指标难以兼顾等挑战 [1] - 具有垂直磁化的磁性隧道结是高密度SOT-MRAM的主流技术路径，但与自旋轨道功能材料结合后隧道磁电阻率较低，导致芯片读窗口低、读取速度难以匹配亚纳秒级写入速度，阻碍了高密度SOT-MRAM的商业化 [1] 驰拓科技的技术突破 - 公司研发团队成功突破垂直磁化体系技术瓶颈，通过优化轨道层结构，在垂直型SOT-MRAM薄膜中实现了高于200%的隧道磁电阻率 [2] - 在12英寸晶圆上的存储器件隧道磁电阻率也可达168%，读窗口关键指标比肩各头部代工厂已规模量产的STT-MRAM，完全满足产品开发需求 [2] - 该新型SOT-MRAM实现了2纳秒高速写入，0.9皮焦比特功耗，几乎无限次擦写次数和常温下10年以上的数据保持能力 [2] - 公司公开了一种新型自对准存储器件技术，依托此架构的优越工艺窗口，可从根源上解决标准SOT-MRAM器件难以获得高存储位元良率的核心挑战，为SOT-MRAM提供了一种类似STT-MRAM的制造方案，可轻松实现产品级器件良率准入门槛 [3] - 相关技术研判参考了近期发表在IEEE Electron Device Letters上的两篇学术文章 [6] 公司概况 - 浙江驰拓科技有限公司成立于2016年，是中国MRAM新型非易失存储芯片技术研发、生产制造的领军企业 [7] - 公司官网显示其已实现多款STT-MRAM产品的量产 [7]