存储市场供需状况 - 存储市场正经历罕见的供需失衡，AI需求挤压供应导致内存短缺加剧，三星于10月暂停DDR5 DRAM合约定价引发内存暴涨 [1] - NAND闪存价格显著上涨，9月以来512Gb TLC晶圆价格稳步攀升，10月下旬达5美元，1Tb TLC/QLC晶圆价格触及6.5至7.2美元区间 [1] - NAND涨价核心原因包括库存见底及新兴技术高带宽闪存（HBF）的推动，HBF可能为NAND开启类似HBM的“封神之路” [1] 高带宽闪存（HBF）技术概览 - HBF是NAND版本的高带宽内存技术，通过将16层NAND堆栈通过逻辑芯片连接到中介层，再以多通道高带宽方式连接到GPU或其他处理器 [3] - 该技术旨在解决AI多模态、长上下文应用需在内存中维护庞大中间状态数据的问题，在DRAM高速但高成本与NAND大容量但慢速间找到最优解 [3] - HBF依托闪迪CBA技术构建，逻辑芯片与3D NAND堆叠层键合，通过类HBM的硅通孔实现层间互联，能匹配HBM带宽并在相近成本下提供8至16倍存储容量 [3] 主要厂商HBF技术布局 SK海力士 - 在2025年OCP全球峰会发布包含HBF的“AIN Family”产品阵容，其中AIN B是采用HBF技术的产品，核心是将高容量、低成本NAND与HBM堆叠结构结合 [6][7] - AIN系列从性能、带宽、容量三个维度优化，AIN P专注于AI推理环境高效处理海量数据读写，计划2026年底推出样品；AIN D目标是以低功耗、低成本存储大容量数据 [6][7] - 公司已向清州M15X工厂运入首批设备，该工厂将重点量产下一代HBM产品，HBM产能扩张为HBF未来部署奠定基础 [8] - 2025年8月与闪迪签署HBF标准化谅解备忘录，推动开放式生态策略 [12] 闪迪 - 宣布激进HBF推进计划，将于2026年下半年提供样本，2027年初为推理AI提供正式产品 [9] - 技术突破在于无需依赖DRAM即可承载超大模型，单块GPU搭载的HBF内存可达4TB容量，足以容纳16位权重的GPT-4模型 [10] - HBF为混合专家模型及多模态大模型端侧部署提供可能，一颗512GB HBF芯片可承载640亿参数的MOE模型，并拆分为8个64GB迷你阵列为专家子模型提供专属存储 [11] 铠侠 - 采取多路径探索策略，既独立开发差异化方案又能共享合作伙伴技术积累 [13] - 2025年8月发布面向边缘服务器的高速闪存驱动器原型，采用串联连接闪存“珠子”及菊花链连接方式，使用PCIe 6总线实现5TB容量和64 GBps数据速率 [13] - 原型总吞吐量约为美光9650 Pro的2.3倍，按每通道计算高出约14%，公司正应英伟达要求开发1亿IOPS的SSD，预计2027年推出 [14][15] 三星 - 已启动自有HBF产品早期概念设计工作，但产品规格和量产时间表仍未知，开发处于早期阶段，态度谨慎 [17] - 作为DRAM和NAND双料冠军，在3D NAND堆叠、TSV工艺、先进封装等领域有深厚积累，具备开发HBF的天然协同优势 [17][18] - 在HBM市场的教训可能影响其HBF策略，倾向于采取“后发制人”策略，先观察竞争对手技术路线和客户反馈再以成熟方案进入市场 [18][19] 行业趋势与展望 - NAND正经历从廉价存储到高价值核心组件的转型，与HBM崛起路径相似，均源于AI需求爆发及传统架构突破 [20][21] - 2026-2027年为关键窗口期，四大阵营的博弈将决定HBF新兴市场格局，这是关于未来AI基础设施话语权的争夺战 [21]