功率半导体聚焦:东芝SiC技术亮相PCIM Asia,引领高效能源转换
半导体芯闻·2025-09-30 10:24
如果您希望可以时常见面,欢迎标星收藏哦~ 作为电力电子与能源转换领域的年度盛会,2025 PCIM Asia(上海国际电力元件、可再生能源管 理展览会)于9月24日至26日在上海新国际博览中心隆重举行。展会汇聚了来自全球的知名企业与 创新力量,集中展示最新的电力与能源技术成果,成为观察产业趋势与捕捉创新机遇的重要窗口。 在这场行业盛会上,东芝凭借在半导体及能源技术领域的长期积累,再度吸引了业界目光。与往年 不同的是,今年东芝携手基本半导体,以联合展台的形式,首次系统呈现双方在碳化硅(SiC)领 域的协同创新成果。这一合作不仅凸显了双方在功率半导体领域的前瞻布局,也为行业注入了新的 思路与可能。 回溯到东芝碳化硅技术的发展历程,其最大的技术特色在于内嵌式SBD(肖特基势垒二极管)设 计。传统碳化硅器件通常采用本体二极管,其管压降VF约为3-5V,而东芝通过在单颗碳化硅芯片 上集成独立的SBD,将管压降降至1.35V左右。这一创新不仅显著降低了功率损耗,更提升了器件 的整体可靠性。 "这个内嵌式SBD是我们与其他厂家完全不同的地方,"东芝技术人员在介绍中特别强调,"它不仅 能降低损耗,更重要的是使导通电阻更加稳定 ...