公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 来源 ： 内容 编译自 Yole 。 正如 Yole 集团在此前发布的《射频产业现状2025》报告所述，2024 年全球射频器件产业规模将 达到 513 亿美元，预计到 2030 年将增长至 697 亿美元。消费电子、电信基础设施和新兴应用领 域对先进无线技术的需求正在加速增长。在此背景下，5G 的推出和 6G 的初步酝酿，推动了基站 和移动设备对高度集成射频前端 (RFFE) 解决方案的需求，并推动了向宽带隙 (WBG) 半导体的转 变，包括氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC)。这些前端集成了功率放大器 (PA)、滤波器和开关，支持 6 GHz 以下和毫米波 (mmWave) 操作，解决了多个频段与不同射频要求共存的问题。 硅基氮化镓在 5G/6G 中的作用日益增强 GaN 射频器件市场规模在 2024 年达到 12 亿美元，预计到 2030 年将达到 20 亿美元，复合年增 长率 (CAGR) 为 8.4%，这反映了 GaN 在无线基础设施和设备中的日益普及，如图1所示。在电 信网络中，5G 大规模 MIMO 天线越来越多地转向 GaN 技术，逐渐取代功 ...