从左至右：20nm 间距线结构，11nm 和 13nm 尖到尖 CD，以及 18nm 间距和 16nm 尖到尖。 它一直与光刻设备公司 AMSL 合作。 公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 比利时研究实验室 Imec 在加利福尼亚州蒙特雷举行的"SPIE 光掩模技术 + EUV 光刻"会议上展示了 单次印刷高数值孔径 EUV 光刻技术的进展： " 我 们 实 现 了 20 纳 米 和 18 纳 米 间 距 的 钌 线 ， 包 括 15 纳 米 的 尖 端 结 构 和 低 电 阻 功 能 互 连 ， "Imec 表 示。"对于20纳米间距的金属化线结构，获得了100%的电气测试良率。" 该成果部分由欧盟的"NanoIC"试验线实现，并将在会议论文 13686-4"干光刻胶在High NAEUV 光 刻中向下一代线空间图案化的进展"中发表。 Imec 规模化副总裁 Steven Scheer 表示："ASML-imec 高数值孔径 EUV 联合实验室在费尔德霍芬 正式启用后，imec 及其合作伙伴生态系统在推动光刻技术发展和推动行业迈入埃时代方面取得了长 足进步。此次展示的成果标志着一个新的里程碑，彰 ...